SIC покриття плоскою частиною

Плоска частина покриття Semicorex SIC-це високопродуктивна графітова компонент, покрита SIC, спеціально розроблена для процесу епітакси SIC. Основна його функція полягає у полегшенні рівномірної провідності повітряного потоку та забезпечення послідовного розподілу газу під час етапу епітаксіального зростання, що робить його незамінним компонентом у виробництві напівпровідників SIC. Вибір Semicorex гарантує вищі якісні та точні рішення, пристосовані до напівпровідникової галузі.

Покриття SIC забезпечує виняткову стійкість до високої температури, хімічної корозії та теплової деформації, забезпечуючи тривалі показники в вимогливих умовах. Графітова основа підвищує структурну цілісність компонента, тоді як рівномірне покриття SIC забезпечує важливу поверхню високої чистоти для чутливих процесів епітакси. Ця комбінація матеріалів робить плоску частину покриття SIC надійним рішенням для досягнення рівномірних епітаксіальних шарів та оптимізації загальної ефективності виробництва.

Відмінна теплопровідність та стабільність графіту забезпечують значні переваги як компонент в епітаксіальному обладнанні. Однак використання чистого графіту може призвести до декількох проблем. Під час виробничого процесу корозійні гази та металоорганічні залишки можуть спричинити розіграш та погіршення графітової бази, значно зменшуючи термін служби. Крім того, будь -який графітовий порошок, який випадає, може забруднити мікросхему, що робить важливим вирішення цих проблем під час підготовки основи.

Технологія покриття може ефективно пом'якшити ці проблеми шляхом виправлення поверхневого порошку, підвищення теплопровідності та врівноваження розподілу тепла. Ця технологія є життєво важливою для забезпечення довговічності графітової бази. Залежно від середовища застосування та конкретних вимог щодо використання, поверхневе покриття повинно мати такі характеристики:

1. Висока щільність та повне покриття: Графітова база працює у високотемпературному, корозійному середовищі і повинна бути повністю охоплена. Покриття повинно бути щільним для забезпечення ефективного захисту.

2. Хороша площина поверхні: Графітова основа, що використовується для росту монокристалі, вимагає дуже високої площини поверхні. Тому процес покриття повинен підтримувати початкову площину основи, гарантуючи, що поверхня покриття є рівномірною.

3. Сильна міцність на скріплення: Для поліпшення зв’язку між графітовою основою та покриттям матеріалу важливо мінімізувати різницю коефіцієнтів теплового розширення. Це посилення гарантує, що покриття залишається неушкодженим навіть після проходження високих та низькотемпературних теплових циклів.

4. Висока теплопровідність: Для оптимального зростання мікросхеми графітова основа повинна забезпечувати швидке та рівномірне розподіл тепла. Отже, матеріал покриття повинен мати високу теплопровідність.

5. Висока температура плавлення та стійкість до окислення та корозії: покриття повинно бути здатним надійно функціонувати у високотемпературних та корозійних середовищах.

Орієнтуючись на ці ключові характеристики, довговічність та продуктивність компонентів на основі графіту в епітаксіальному обладнанні можуть бути значно вдосконалені.

Завдяки розширеним методам виготовлення, Semicorex забезпечує індивідуальні конструкції для задоволення конкретних вимог до процесу. Плоска частина покриття SIC суворо перевіряється на розмірної точності та довговічності, що відображає прихильність напіворексів до досконалості в напівпровідникових матеріалах. Незалежно від того, що використовується в умовах масового виробництва чи досліджень, цей компонент забезпечує точний контроль та високий урожай у програмах Epitaxy SIC.