RTP RTA SiC Coated Carrier

Semicorex є великомасштабним виробником і постачальником графітових токоприймачів із покриттям з карбіду кремнію в Китаї. Графітова опора Semicorex, розроблена спеціально для обладнання для епітаксії з високою термостійкістю та стійкістю до корозії в Китаї. Наш RTP RTA SiC Coated Carrier має гарну цінову перевагу та покриває багато європейських та американських ринків. Ми сподіваємося стати вашим довгостроковим партнером.

Надіслати запит

Опис продукту

Semicorex постачає RTP RTA SiC Coated Carrier, який використовується для підтримки пластин, який дійсно стійкий до RTA, RTP або жорсткого хімічного очищення. RTP RTA SiC Coated Carrier із графітовою конструкцією, покритою карбідом кремнію (SiC) високої чистоти, забезпечує чудову термостійкість, рівномірну термічну однорідність для стабільної товщини епі-шару та стійкості, а також тривалу хімічну стійкість. Тонке кристалічне покриття SiC забезпечує чисту гладку поверхню, що є критично важливим для роботи, оскільки незаймані пластини контактують із чутливим елементом у багатьох точках по всій площі.
У Semicorex ми зосереджені на забезпеченні високоякісних, економічно ефективних опор RTP RTA SiC Coated Carrier, ми надаємо пріоритет задоволенню клієнтів і пропонуємо економічно ефективні рішення. Ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером, пропонуючи високоякісні продукти та виняткове обслуговування клієнтів.

Параметри RTP RTA SiC Coated Carrier

Основні характеристики покриття CVD-SIC
Властивості SiC-CVD
Кристалічна структура	FCC β фаза
Щільність	г/см³	3.21
Твердість	Твердість за Віккерсом	2500
Розмір зерна	мкм	2~10
Хімічна чистота	%	99.99995
Теплоємність	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублімації	℃	2700
Згинальна сила	МПа (RT 4 точки)	415
Модуль Юнга	Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃)	430
Теплове розширення (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Теплопровідність	(Вт/мК)	300

Особливості RTP RTA SiC Coated Carrier

- Графітова підкладка та шар карбіду кремнію мають хорошу щільність і можуть відігравати хорошу захисну роль у високотемпературних та корозійних робочих середовищах.
- Сусцептор з покриттям з карбіду кремнію, який використовується для вирощування монокристалів, має дуже високу площинність поверхні.
- Зменшити різницю в коефіцієнті теплового розширення між графітовою підкладкою та шаром карбіду кремнію, ефективно підвищити міцність зв’язку, щоб запобігти розтріскуванням і відшаруванням.
- І графітова підкладка, і шар карбіду кремнію мають високу теплопровідність і відмінні властивості розподілу тепла.
- Висока температура плавлення, стійкість до окислення при високій температурі, стійкість до корозії.