додому > Продукти > Покриття з карбіду кремнію > Перевізник RTP > Носій RTP для епітаксіального росту MOCVD

Продукти

Носій RTP для епітаксіального росту MOCVD

Носій RTP для епітаксіального росту MOCVD

Semicorex RTP Carrier for MOCVD Epitaxial Growth ідеально підходить для обробки напівпровідникових пластин, включаючи епітаксійне зростання та обробку пластин. Вуглеграфітові токоприймачі та кварцові тиглі обробляються методом MOCVD на поверхні графіту, кераміки тощо. Наша продукція має хорошу цінову перевагу та охоплює багато європейських та американських ринків. Ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Надіслати запит

Опис продукту

Semicorex постачає носій RTP для епітаксіального росту MOCVD, який використовується для підтримки пластин, який справді стабільний для RTA, RTP або агресивного хімічного очищення. В основі процесу, епітаксійні рецептори, спочатку піддаються впливу середовища осадження, тому він має високу термостійкість і стійкість до корозії. Носій з покриттям SiC також має високу теплопровідність і відмінні властивості розподілу тепла.
Наш носій RTP для епітаксіального зростання MOCVD розроблено для досягнення найкращої ламінарної моделі потоку газу, забезпечуючи рівномірність теплового профілю. Це допомагає запобігти будь-якому забрудненню або дифузії домішок, забезпечуючи високоякісне епітаксійне зростання на чіпі пластини.
Зв’яжіться з нами сьогодні, щоб дізнатися більше про наш носій RTP для епітаксіального росту MOCVD.


Параметри носія RTP для епітаксіального росту MOCVD

Основні характеристики покриття CVD-SIC

Властивості SiC-CVD

Кристалічна структура

FCC β фаза

Щільність

г/см³

3.21

Твердість

Твердість за Віккерсом

2500

Розмір зерна

μm

2~10

Хімічна чистота

%

99.99995

Теплоємність

Дж·кг-1 ·К-1

640

Температура сублімації

2700

Згинальна сила

МПа (RT 4 точки)

415

Модуль Юнга

Gpa (вигин 4 точки, 1300 °)

430

Теплове розширення (C.T.E)

10-6К-1

4.5

Теплопровідність

(Вт/мК)

300


Особливості носія RTP для епітаксіального росту MOCVD

Високочистий графіт із покриттям SiC
Чудова термостійкість і теплова однорідність
Тонкий кристал SiC з покриттям для гладкої поверхні
Висока стійкість до хімічного очищення
Матеріал розроблений таким чином, щоб не було тріщин і розшарувань.





Гарячі теги: Носій RTP для епітаксіального росту MOCVD, Китай, виробники, постачальники, фабрика, індивідуальний, масовий, вдосконалений, міцний

Пов'язана категорія

Надіслати запит

Будь ласка, надішліть свій запит у формі нижче. Ми відповімо вам протягом 24 годин.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept