Несуча пластина Semicorex SiC Graphite RTP для MOCVD забезпечує чудову термостійкість і термічну однорідність, що робить її ідеальним рішенням для обробки напівпровідникових пластин. Завдяки високоякісному графіту з SiC покриттям, цей продукт розроблено таким чином, щоб витримувати найсуворіші умови осадження для епітаксійного росту. Висока теплопровідність і відмінні властивості розподілу тепла забезпечують надійну роботу для RTA, RTP або жорсткого хімічного очищення.
Наша несуча пластина з графіту SiC RTP для MOCVD для епітаксійного вирощування MOCVD є ідеальним рішенням для роботи з пластинами та епітаксійної обробки. Завдяки гладкій поверхні та високій міцності проти хімічного очищення, цей продукт забезпечує надійну роботу в суворих середовищах.
Матеріал нашої несучої пластини SiC-графіту RTP для MOCVD розроблено для запобігання тріщинам і розшаруванням, тоді як чудова термостійкість і термічна однорідність забезпечують стабільну роботу для RTA, RTP або жорсткого хімічного очищення.
Зв’яжіться з нами сьогодні, щоб дізнатися більше про нашу несучу пластину з графіту SiC RTP для MOCVD.
Параметри несучої пластини SiC з графіту RTP для MOCVD
Основні характеристики покриття CVD-SIC |
||
Властивості SiC-CVD |
||
Кристалічна структура |
FCC β фаза |
|
Щільність |
г/см³ |
3.21 |
Твердість |
Твердість за Віккерсом |
2500 |
Розмір зерна |
μm |
2~10 |
Хімічна чистота |
% |
99.99995 |
Теплоємність |
Дж·кг-1 ·К-1 |
640 |
Температура сублімації |
℃ |
2700 |
Згинальна сила |
МПа (RT 4 точки) |
415 |
Модуль Юнга |
Gpa (вигин 4 точки, 1300 °) |
430 |
Теплове розширення (C.T.E) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопровідність |
(Вт/мК) |
300 |
Характеристики несучої пластини з графіту SiC RTP для MOCVD
Високочистий графіт із покриттям SiC
Чудова термостійкість і теплова однорідність
Тонкий кристал SiC з покриттям для гладкої поверхні
Висока стійкість до хімічного очищення
Матеріал розроблений таким чином, щоб не було тріщин і розшарувань.