І Субстрати

Підкладка Semicorex Si є критично важливим компонентом у виробництві напівпровідникових приладів, сонячних батарей і різних електронних компонентів. Чудові напівпровідникові властивості кремнію в поєднанні з термічною та механічною стабільністю роблять його найпоширенішим матеріалом підкладки в електроніці. Оскільки підкладка Si відіграє основоположну роль у продуктивності, ефективності та надійності напівпровідникових пристроїв із застосуваннями, що охоплюють широкий спектр технологій, таких як інтегральні схеми (ІС), сонячні фотоелектричні пристрої та пристрої живлення. Наша кремнієва підкладка розроблена відповідно до суворих вимог сучасної електроніки та забезпечує оптимальну основу для передових застосувань у напівпровідникових технологіях.

Особливості та технічні характеристики

Матеріал високої чистоти:Наші кремнієві підкладки виготовляються з використанням кремнію високої чистоти, що забезпечує мінімальну кількість домішок, які можуть вплинути на електричні властивості. Цей високочистий матеріал забезпечує чудову теплопровідність і мінімізує небажані електронні перешкоди, що є вирішальним у високопродуктивних додатках.

Оптимізована орієнтація кристалів:Підкладка Si доступна в різних орієнтаціях кристалів, включаючи (100), (110) і (111), кожна з яких підходить для різних застосувань. Наприклад, орієнтація (100) широко використовується у виготовленні CMOS, тоді як (111) часто віддається перевага для додатків із високою потужністю. Цей вибір дозволяє користувачам адаптувати підкладку до конкретних вимог пристрою.

Якість поверхні та планарність:Досягнення гладкої поверхні без дефектів є важливим для оптимальної роботи пристрою. Наші кремнієві підкладки точно відполіровані та оброблені, щоб забезпечити низьку шорсткість поверхні та високу площинність. Ці властивості сприяють ефективному осадженню епітаксійного шару, мінімізуючи дефекти в наступних шарах.

Термічна стабільність:Термічні властивості кремнію роблять його придатним для пристроїв, яким потрібна надійна робота за різних температур. Наша кремнієва підкладка зберігає стабільність під час високотемпературних процесів, таких як окислення та дифузія, гарантуючи, що вона може витримувати вимоги виготовлення складних напівпровідників.

Параметри налаштування:Ми пропонуємо кремнієві підкладки різних товщин, діаметрів і рівнів легування. Параметри налаштування дозволяють виробникам оптимізувати підкладку для певних електричних властивостей, таких як питомий опір і концентрація носіїв, які є критичними для налаштування продуктивності електронних пристроїв.

Додатки

Інтегральні схеми (ІС):Підкладка Si є основним матеріалом у виробництві мікросхем, що забезпечує стабільну та єдину основу для таких пристроїв, як процесори, мікросхеми пам’яті та датчики. Його чудові електронні властивості дозволяють точно контролювати параметри пристрою, необхідні для щільної упаковки транзисторів у сучасних мікросхемах.

Пристрої живлення:Si підкладки часто використовуються в силових напівпровідникових пристроях, таких як MOSFET і IGBT, де висока теплопровідність і механічна міцність є важливими. Пристрої живлення потребують підкладок, які можуть витримувати високі напруги та струми, і наші Si підкладки забезпечують виняткову продуктивність у цих складних середовищах.

Фотоелектричні елементи:Кремній є найбільш часто використовуваним матеріалом у фотоелектричних елементах, завдяки його ефективності в перетворенні сонячного світла в електрику. Наші кремнієві підкладки забезпечують високочисту, стабільну основу, необхідну для застосування сонячних елементів, забезпечуючи ефективне поглинання світла та високу вихідну енергію, таким чином сприяючи виробництву відновлюваної енергії.

Мікроелектромеханічні системи (MEMS):Пристрої MEMS часто покладаються на підкладки Si завдяки їх стабільності, легкості мікрообробки та сумісності зі звичайними напівпровідниковими процесами. Застосування в датчиках, приводах і мікрофлюїдних пристроях виграють від довговічності та точності Si Substrate.

Оптоелектронні прилади:Для світловипромінюючих діодів (світлодіодів) і лазерних діодів кремнієва підкладка пропонує платформу, сумісну з різноманітними процесами осадження тонких плівок. Його теплові та електричні властивості забезпечують надійну роботу в оптоелектронних додатках.