Пластина SiC Dummy

Ключові характеристики фіктивної пластини SiC

Різноманітне тестування та експериментування

Фіктивні пластини SiC необхідні на різних етапах виробництва напівпровідників, забезпечуючи безпечний і надійний засіб для тестування та експериментування. Вони мають вирішальне значення на початку виробничого процесу, гарантуючи, що всі параметри оптимальні перед використанням цінних виробничих пластин.

Захист в дифузійних процесах

У процесах дифузії фіктивні пластини SiC відіграють вирішальну роль, екрануючи стандартні кремнієві пластини. Ця захисна функція запобігає пошкодженню та забрудненню, таким чином зберігаючи цілісність і якість первинних пластин.

Точність у вимірюванні

Ці пластини ретельно використовуються для вимірювання товщини плівки, опору тиску та індексу відбиття. Вони також допомагають виявляти присутність пінболу та оцінювати розмір візерунків у літографії, суттєво сприяючи точності процесу та зменшенню дефектів.

Переваги SiC Dummy Wafer

Стійкість до високотемпературного газу

SiC Dummy Wafers демонструють чудову стійкість до високотемпературних газових атак, що робить їх придатними для екстремальних умов. Ця стійкість забезпечує стабільну роботу навіть у найскладніших умовах.

Хімічна стабільність

Хімічна стабільність SiC Dummy Wafers дозволяє їм протистояти різноманітним корозійним речовинам без деградації. Ця властивість необхідна для збереження цілісності пластин під час хімічного впливу.

Поверхня без часток

Маючи поверхню, яку легко чистити, SiC Dummy Wafers мінімізує проблеми з частинками, що є життєво важливим для підтримки середовища, вільного від забруднення. Ця характеристика забезпечує високу якість результатів і знижує ризик дефектів.

Довгострокова структурна цілісність

Пластини SiC Dummy Wafers створені для опору згинання та деформації з часом. Їх довговічність гарантує, що вони залишаються надійними протягом багатьох циклів тестування, зменшуючи потребу в частій заміні.

Настроювані функції

Semicorex пропонує серіалізацію, визначену користувачем, на кожній фіктивній пластині SiC, що дозволяє налаштувати розмір і товщину. Спеціальне лазерне гравіювання додатково усуває ризик перехресного забруднення, забезпечуючи високий ступінь чистоти та надійності.

Застосування в різних галузях

Виготовлення напівпровідників

Фіктивні пластини SiC необхідні у виробництві напівпровідників, особливо на початкових етапах виробництва. Вони служать захисним бар’єром, захищаючи кремнієві пластини від потенційного пошкодження та забезпечуючи точність процесу.

Гарантія якості та тестування

У гарантії якості фіктивні пластини SiC мають вирішальне значення для перевірки доставки та оцінки форм процесу. Вони дозволяють точно вимірювати такі параметри, як товщина плівки, опір тиску та індекс відбиття, сприяючи перевірці виробничих процесів.

Літографія та перевірка шаблону

У літографії ці пластини служать еталоном для вимірювання розміру малюнка та перевірки дефектів. Їх точність і надійність допомагають досягти бажаної геометричної точності, що має вирішальне значення для функціональності напівпровідникових пристроїв.

Дослідження та розробки

У науково-дослідному середовищі гнучкість і довговічність фіктивних пластин SiC підтримують широкі експерименти. Їх здатність витримувати суворі умови випробувань робить їх безцінними для розробки нових напівпровідникових технологій.