Монокристалічний кремнієвий епісусцептор

Монокристалічний кремнієвий Epi-суцептор є важливим компонентом, розробленим для процесів епітаксії Si-GaN, який можна адаптувати до індивідуальних специфікацій і переваг, забезпечуючи індивідуальне рішення, яке ідеально відповідає конкретним вимогам. Незалежно від того, чи це потребує змін у розмірах або коригування товщини покриття, ми маємо можливість розробити та доставити продукт, який відповідає різноманітним параметрам процесу, тим самим оптимізуючи продуктивність для цільових застосувань. Прихильність Semicorex найкращій на ринку якості в поєднанні з конкурентоспроможними фінансовими міркуваннями зміцнює наше прагнення встановити партнерські відносини для виконання ваших вимог до транспортування напівпровідникових пластин.

Надіслати запит

Опис продукту

Сусцептори в процесі епітаксіального росту вимагають здатності витримувати підвищені температури та витримувати суворі процедури хімічного очищення. Монокристалічний кремнієвий Epi Susceptor був ретельно розроблений, щоб задовольнити ці високі вимоги, що виникають у застосуванні обладнання для епітаксії.

Конструкція цих токоприймачів містить високочистий графіт, покритий карбідом кремнію (SiC), який надає неперевершену стійкість до тепла, забезпечуючи рівномірний розподіл тепла для стабільної товщини та стійкості шару епітаксії.

Крім того, монокристалічний кремнієвий Epi Susceptor демонструє надзвичайну міцність проти агресивних хімічних засобів для чищення. Використання дрібного кристалічного покриття SiC додатково сприяє створенню незайманої гладкої поверхні, що має першочергове значення для ефективного поводження, оскільки незаплямовані пластини контактують із чутливим елементом у численних точках по всій площі поверхні.

Використання монокристалічного кремнієвого Epi Susceptor забезпечує непохитну надійність і подовжений термін служби, зменшуючи потребу в частих замінах і зводячи до мінімуму як простої, так і витрати на технічне обслуговування. Його міцна конструкція та виняткові експлуатаційні можливості значно сприяють підвищенню ефективності процесу, зрештою підвищуючи продуктивність і економічну ефективність у сфері виробництва напівпровідників.