Тримач затравкового кристала з покриттям TaC

Тримач затравкових кристалів із покриттям TaC — це високоефективний компонент, спеціально розроблений для середовища вирощування напівпровідникових матеріалів. Як провідний виробник тримачів затравкових кристалів з покриттям TTaC, semicorex пропонує вам ефективні рішення для основних компонентів у галузі виробництва високоякісних напівпровідників.

Надіслати запит

Опис продукту

Субстрат зПокриття TaCТримач затравкового кристала зазвичай виготовляється з графіту, карбіду кремнію або композитних матеріалів вуглець/вуглець, а потім на його поверхню наноситься шар покриття TaC за допомогою вдосконаленої технології хімічного осадження з парової фази (CVD). Тримач затравкового кристала з покриттям TaC, виготовлений цим методом, має чудову стійкість до корозії, надмеханічну міцність, гарну стійкість до високих температур і ефективну теплопровідність.

Функція тримача затравкових кристалів з покриттям TaC

1. Функція підтримки

Тримач затравкового кристала зазвичай виготовляється з графіту, карбіду кремнію або композитних матеріалів вуглець/вуглець, а потім на його поверхню наноситься шар покриття TaC за допомогою вдосконаленої технології хімічного осадження з парової фази (CVD). Тримач затравкового кристала з покриттям TaC, виготовлений цим методом, має чудову стійкість до корозії, надмеханічну міцність, гарну стійкість до високих температур і ефективну теплопровідність.

2. Захисний ефект

Тримач затравкового кристала з покриттям TaC встановлений над кришкою графітового тигля та ізолює графітову кришку від високотемпературних парів Si. Це ефективно запобігає корозії, спричиненій парами, і подовжує термін служби графітової кришки. Крім того, притаманна хімічна стабільність і термостійкість покриття TaC також допомагають зменшити введення домішок, забезпечуючи стабільне та чисте середовище для росту затравкових кристалів.

3. Контроль температури

У тримачі затравкових кристалів із покриттям Semicorex TaC використовуються технології виробництва, які є передовими в галузі. Точний контроль температури теплового поля може бути досягнутий шляхом професійної оптимізації їх форми, розмірів і товщини покриття. Це значно знижує рівень дефектів і ефективно сприяє рівномірному росту кристалів.