Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon — це спеціалізований компонент, розроблений для високопродуктивних епітаксіальних процесів у виробництві напівпровідників. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon — це спеціально розроблений компонент, розроблений для досягнення високоефективних епітаксійних процесів у сфері виробництва напівпровідників. Частина TaC Coating Upper Halfmoon розроблена для бездоганного встановлення в епітаксійних реакторах, забезпечуючи виняткову довговічність і стабільність в екстремальних умовах.
Покриття TaC забезпечує чудову стійкість до високих температур, що робить покриття TaC Coating Upper Halfmoon ідеальним для вимогливих температурних умов епітаксійних процесів. Це забезпечує постійну продуктивність і довговічність, зменшуючи частоту замін і простоїв. Покриття TaC Coating Upper Halfmoon може витримувати корозійні гази та хімікати, які зазвичай використовуються для епітаксійного нарощування, захищаючи цілісність компонента та підтримуючи чистоту процесу.
Гладке та рівномірне покриття TaC покращує якість епітаксіальних шарів за рахунок мінімізації дефектів і домішок. Це сприяє вищим показникам продуктивності та чудовим електронним властивостям напівпровідникових приладів. Поєднання термічної та хімічної стійкості подовжує термін служби TaC Coating Upper Halfmoon, забезпечуючи економічно ефективне рішення для підтримки високої пропускної здатності та ефективності виготовлення напівпровідників.
Застосування:
Процеси високотемпературного хімічного осадження з парової фази (CVD).
Епітаксія з карбіду кремнію (SiC) і нітриду галію (GaN).
Технічні характеристики:
Матеріал: покриття з карбіду танталу (TaC).
Діапазон температур: до 2200°C
Хімічна стійкість: відмінна проти HF, HCl та інших корозійних газів
Розміри: можна налаштувати відповідно до конкретних моделей реакторів
Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon є важливим компонентом для досягнення високоякісних епітаксіальних шарів із покращеною ефективністю та зниженим ризиком забруднення. Його вдосконалені властивості матеріалу та точна інженерна конструкція роблять його цінним активом у напівпровідниковій промисловості, підтримуючи виробництво електронних пристроїв нового покоління.