Верхні ґрунтові кільця з покриттям CVD SiC

CVD SiCВерхні ґрунтувальні кільця з покриттям зазвичай встановлюються у верхній частині реакційної камери в обладнанні для плазмового травлення, оточуючи пластинчастий електростатичний патрон. Верхні заземлюючі кільця з CVD SiC-покриттям є життєво важливими для всієї системи травлення, які можуть діяти як фізичний бар’єр для захисту компонентів пристрою від плазмової атаки та регулювати внутрішнє електричне поле та обмежувати діапазон розподілу плазми для забезпечення рівномірних результатів травлення.

Плазмове травлення — це технологія сухого травлення, яка широко використовується у виробництві напівпровідників, яка працює шляхом використання фізичних і хімічних взаємодій між плазмою та поверхнею напівпровідникових матеріалів для вибіркового видалення певних ділянок, таким чином досягаючи обробки точних структур. У складних умовах плазмового травлення високоенергетична плазма викликає агресивну корозію та атакує компоненти всередині реакційної камери. Для забезпечення надійної та ефективної роботи компоненти камери повинні мати чудову стійкість до корозії, механічні властивості та характеристики низького забруднення. Верхні ґрунтувальні кільця з SiC-покриттям Semicorex CVD ідеально розроблені для роботи в таких суворих робочих середовищах із високим рівнем корозії.

Надійне покриття CVD SiC

Для кращої роботи в суворих умовах травлення верхні шліфовані кільця Semicorex CVD SiC покриті високоефективним покриттям CVD SiC, що ще більше підвищує їх продуктивність і довговічність.

1. Надвисока чистота

TheSiC покриттявиготовлені за допомогою процесу CVD, відрізняються чудовим ущільненням із надвисокою чистотою (чистота перевищує 99,9999%), що може запобігти верхнім заземленим кільцям із SiC-покриттям Semicorex CVD від високоенергетичної плазмової атаки під час травлення, таким чином уникаючи забруднення, спричиненого частинками домішок із матриць.

2. Покращена стійкість до корозії

Покриття SiC, виготовлене за допомогою процесу CVD, забезпечує покращену корозійну стійкість, завдяки чому верхні ґрунтові кільця з SiC-покриттям Semicorex CVD ефективно протистоять складній корозії, викликаній плазмою (особливо корозійними газами, такими як галогени та фтор).

3. Покращені механічні властивості

Завдяки підвищеній твердості та зносостійкості CVD-SiC-покриття верхні кільця Semicorex CVD SiC можуть витримувати інтенсивне плазмове бомбардування, механічні навантаження та часте використання без деформації чи руйнування під час тривалої експлуатації.

Високий стандарт обробки та контролю якості

Щоб ідеально адаптуватися до вимогливих умов травлення напівпровідників, верхні ґрунтові кільця з SiC-покриттям Semicorex CVD проходять точну механічну обробку та ретельний контроль.

Обробка поверхні: точність полірування Ra <0,1 мкм; точність тонкого шліфування Ra > 0,1 мкм

Точність обробки контролюється в межах ≤ 0,03 мм

Перевірка якості:

Кільця Semicorex твердого CVD SiC підлягають аналізу ICP-MS (мас-спектрометрія з індуктивно пов’язаною плазмою). Кільця Semicorex твердого CVD SiC підлягають вимірюванню розмірів, випробуванню питомого опору та візуальному огляду, що гарантує відсутність сколів, подряпин, тріщин, плям та інших дефектів.