Епітаксіальний вафельний човник

Semicorex пропонує вафельні човники, п’єдестали та спеціалізовані підставки для пластин як для вертикальної/колонної, так і для горизонтальної конфігурації. Протягом багатьох років ми є виробником і постачальником плівки для покриття з карбіду кремнію. Наш епітаксіальний вафельний човен має гарну цінову перевагу та охоплює більшість європейських та американських ринків. Ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Надіслати запит

Опис продукту

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, ідеальне рішення для обробки пластин у виробництві напівпровідників. Наші епітаксіальні пластини виготовлені з високоякісної кераміки з карбіду кремнію (SiC), яка забезпечує чудову стійкість до високих температур і хімічної корозії.
Наш епітаксіальний вафельний човен із карбіду кремнію має гладку поверхню, яка мінімізує утворення частинок, забезпечуючи найвищий рівень чистоти для ваших продуктів. Завдяки чудовій теплопровідності та чудовій механічній міцності наші човни забезпечують постійні та надійні результати.
Наші епітаксіальні пластини сумісні з усім стандартним обладнанням для обробки пластин і можуть витримувати температуру до 1600°C. Вони прості в користуванні та очищенні, що робить їх економічно ефективним вибором для ваших виробничих потреб.
Наша команда експертів прагне забезпечити найкращу якість і сервіс. Ми пропонуємо індивідуальні конструкції відповідно до ваших конкретних вимог, а наша продукція підтримується нашою програмою забезпечення якості.

Параметри епітаксіального вафельного човника

Технічні властивості
Індекс	одиниця	Значення
Назва матеріалу		Реакційний спечений карбід кремнію	Спечений без тиску карбід кремнію	Перекристалізований карбід кремнію
Композиція		RBSiC	SSiC	R-SiC
Об'ємна щільність	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Сила гнучкості	МПа (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Міцність на стиск	МПа (kpsi)	1120(158)	3970 (560)	> 600
Твердість	Кнуп	2700	2800	/
Порушення наполегливості	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопровідність	Вт/м.к	95	120	23
Коефіцієнт теплового розширення	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Питома теплоємність	Джоуль/г 0k	0.8	0.67	/
Максимальна температура повітря	℃	1200	1500	1600
Модуль пружності	Gpa	360	410	240

Різниця між SSiC і RBSiC:

1. Процес спікання відрізняється. RBSiC має просочувати вільний Si в карбід кремнію при низькій температурі, SSiC утворюється природною усадкою при 2100 градусах.

2. SSiC мають більш гладку поверхню, вищу щільність і вищу міцність, для деяких ущільнювачів із суворішими вимогами до поверхні SSiC буде кращим.

3. Різний час використання за різного PH і температури, SSiC довше, ніж RBSiC

Характеристики епітаксійної пластини з карбіду кремнію

SiC високої чистоти з покриттям MOCVD
Чудова термостійкість і теплова однорідність
Тонкий кристал SiC з покриттям для гладкої поверхні
Висока стійкість до хімічного очищення
Матеріал розроблений таким чином, щоб не було тріщин і розшарувань.