Носій епітаксії GaN

Semicorex GaN Epitaxy Carrier відмінно підходить для безпечного транспортування пластин у печі, водночас розроблений для процесів епітаксійної обробки пластин. Епітаксійний носій GaN має вирішальне значення для отримання високоякісних відтворюваних тонких плівок і епітаксійних шарів, необхідних для виробництва сучасних електронних і оптоелектронних пристроїв.

Графітова підкладка GaN Epitaxy Carrier покращена найсучаснішим покриттям з карбіду кремнію (SiC) для хімічного осадження з парової фази (CVD). Цей шар SiC ретельно наноситься шляхом хімічного осадження з парової фази, забезпечуючи надійний захист від хімічних реакцій і зношування під час процесу епітаксії. Крім того, покриття SiC епітаксійного носія GaN покращує теплові властивості носія, сприяючи ефективному та рівномірному нагріванню пластин. Такий рівномірний нагрів життєво важливий для отримання стабільних і високоякісних епітаксійних шарів на напівпровідникових пластинах.

Епітаксійний носій Semicorex GaN, який можна настроювати під різні розміри напівпровідникової пластини, є універсальним рішенням для різноманітних виробничих потреб. Незалежно від того, чи потрібні певні розміри, форми чи товщина покриття, наша команда співпрацює з клієнтами, щоб розробити рішення, яке відповідає їхнім точним специфікаціям і оптимізує продуктивність для їхніх унікальних застосувань.