Пористий графітовий тигель

Пористий графітовий тигель відіграє вирішальну роль у процесі вирощування монокристалів карбіду кремнію (SiC), що є вирішальним кроком у виробництві напівпровідників. Цей спеціальний тигель розроблено таким чином, щоб витримувати екстремальні температури та жорсткі хімічні середовища, що робить його ідеальним контейнером для високотемпературних реакцій, пов’язаних із зростанням кристалів SiC.

Тигель зазвичай виготовляється з високочистого графітового матеріалу, відомого своєю чудовою теплопровідністю, хімічною інертністю та механічною міцністю. Термін «пористий» означає навмисне створення проникної структури всередині графіту, що забезпечує контрольований потік газів і рідин під час процесу росту кристалів.

Процес вирощування монокристалів SiC передбачає сублімацію вихідних матеріалів кремнію та вуглецю у високотемпературній печі. Пористий графітовий тигель діє як контейнер для цих вихідних матеріалів, забезпечуючи стабільне та контрольоване середовище для росту кристалів. Його пориста структура забезпечує ефективний транспорт вихідних газів і полегшує видалення побічних продуктів, що утворюються в процесі росту.

Здатність тигля зберігати стабільність і витримувати екстремальні умови є важливою для отримання високоякісних монокристалів SiC, які є невід’ємною частиною виробництва напівпровідникових приладів. Пористість тигля допомагає оптимізувати потік газу та розподіл тепла, сприяючи рівномірному зростанню великих та високоякісних кристалів SiC.