У напівпровідниковій промисловості епітаксіальні шари відіграють вирішальну роль, утворюючи специфічні монокристалічні тонкі плівки на підкладці пластини, спільно відомі як епітаксіальні пластини. Зокрема, епітаксійні шари карбіду кремнію (SiC), вирощені на провідних підкладках SiC, створюють однорі......
ДетальнішеНаразі більшість виробників SiC-підкладок використовують нову конструкцію процесу термічного поля тигля з пористими графітовими циліндрами: розміщують високочисті частинки SiC між стінкою графітового тигля та пористим графітовим циліндром, одночасно поглиблюючи весь тигель і збільшуючи діаметр тигля......
ДетальнішеЕпітаксійне зростання відноситься до процесу вирощування кристалографічно добре впорядкованого монокристалічного шару на підкладці. Взагалі кажучи, епітаксійне зростання передбачає вирощування кристалічного шару на монокристалічній підкладці, причому вирощений шар має ту саму кристалографічну орієнт......
ДетальнішеХімічне осадження з парової фази (CVD) відноситься до технології процесу, де кілька газоподібних реагентів при різних парціальних тисках піддаються хімічній реакції за певних умов температури та тиску. Отримана тверда речовина осідає на поверхні матеріалу підкладки, тим самим отримуючи бажану тонку ......
Детальніше