Токоприймач із графітової бочки з SiC покриттям

Graphite Barrel Susceptor із покриттям Semicorex SiC є ідеальним вибором для застосувань у виробництві напівпровідників, які вимагають виняткового розподілу тепла та теплопровідності. Його високочисте покриття SiC і чудова щільність забезпечують чудові властивості захисту та розподілу тепла, забезпечуючи надійну та стабільну роботу навіть у найскладніших умовах.

Наш графітовий стовбур із SiC-покриттям розроблений для досягнення найкращої ламінарної моделі потоку газу, забезпечуючи рівномірність теплового профілю. Це допомагає запобігти будь-якому забрудненню або дифузії домішок, забезпечуючи високоякісне епітаксійне зростання на чіпі пластини.

Зв’яжіться з нами сьогодні, щоб дізнатися більше про наш графітовий ствол із SiC-покриттям.

Параметри графітового стовбура із покриттям SiC

Характеристики графітового стовбура з SiC-покриттям

- Графітова підкладка та шар карбіду кремнію мають хорошу щільність і можуть відігравати хорошу захисну роль у високотемпературних та корозійних робочих середовищах.

- Сусцептор з покриттям з карбіду кремнію, який використовується для вирощування монокристалів, має дуже високу площинність поверхні.

- Зменшити різницю в коефіцієнті теплового розширення між графітовою підкладкою та шаром карбіду кремнію, ефективно підвищити міцність з’єднання, щоб запобігти розтріскуванням і відшаруванням.

- І графітова підкладка, і шар карбіду кремнію мають високу теплопровідність і відмінні властивості розподілу тепла.

- Висока температура плавлення, стійкість до окислення при високій температурі, стійкість до корозії.