Вафельний патрон SiC

В основі SiC Wafer Chuck лежить складне поєднання матеріалів, основа якого виготовлена ​​з графіту та ретельно покрита SiC хімічним осадженням (CVD). Це злиття графіту та покриття SiC не тільки забезпечує виняткову довговічність і термічну стабільність, але також пропонує неперевершену стійкість до агресивних хімічних середовищ, зберігаючи цілісність делікатних напівпровідникових пластин протягом усього процесу виробництва.

Патрон для пластин SiC має виняткову теплопровідність, що сприяє ефективному розсіюванню тепла під час процесу виготовлення напівпровідників. Ця здатність мінімізує температурні градієнти по поверхні пластини, забезпечуючи рівномірний розподіл температури, що має вирішальне значення для досягнення точних властивостей напівпровідника. Завдяки інтегрованому покриттю CVD SiC патрон SiC Wafer Chuck демонструє чудову механічну міцність і жорсткість, здатну витримувати складні умови, що виникають під час обробки пластин. Така міцність мінімізує ризик деформації або пошкодження, зберігаючи цілісність напівпровідникових пластин і максимізуючи продуктивність.

Кожен пластинчастий патрон SiC проходить ретельну точну механічну обробку, що гарантує жорсткі допуски та оптимальну площинність по всій поверхні. Ця точність має вирішальне значення для досягнення рівномірного контакту між патроном і напівпровідниковою пластиною, сприяючи надійному затисканню пластини та забезпечуючи стабільні результати обробки.

Пластиновий патрон SiC знаходить широке застосування в різних процесах виробництва напівпровідників, включаючи епітаксійне вирощування, хімічне осадження з парової фази (CVD) і термічну обробку. Його універсальність і надійність роблять його незамінним для підтримки пластин SiC під час критичних етапів виготовлення, що в кінцевому підсумку сприяє виробництву передових напівпровідникових пристроїв з неперевершеною продуктивністю та надійністю.