Лоток для пластин Semicorex SiC є життєво важливим активом у процесі металоорганічного хімічного осадження з парової фази (MOCVD), ретельно розроблений для підтримки та нагрівання напівпровідникових пластин під час важливого етапу осадження епітаксійного шару. Цей лоток є невід’ємною частиною виробництва напівпровідникових приладів, де точність нарощування шару є надзвичайно важливою. Ми в Semicorex націлені на виробництво та постачання високопродуктивних лотків для пластин SiC, які поєднують якість з економічною ефективністю.
Вафельний лоток Semicorex SiC, який функціонує як ключовий елемент апарату MOCVD, утримує та термічно керує монокристалічними підкладками. Його виняткові робочі характеристики, включаючи чудову термічну стабільність і однорідність, а також інгібування корозії тощо, є вирішальними для високоякісного росту епітаксіальних матеріалів. Ці властивості забезпечують постійну однорідність і чистоту в шарах тонкої плівки.
Покращений SiC-покриттям пластинчастий лоток SiC значно покращує теплопровідність, сприяючи швидкому та рівномірному розподілу тепла, що є життєво важливим для рівномірного епітаксійного росту. Здатність лотка для пластин SiC ефективно поглинати та випромінювати тепло підтримує стабільну та постійну температуру, необхідну для точного осадження тонких плівок. Такий рівномірний розподіл температури має вирішальне значення для створення високоякісних епітаксійних шарів, які необхідні для продуктивності передових напівпровідникових пристроїв.
Надійна робота та довговічність лотка для вафель SiC зменшують частоту заміни, мінімізуючи час простою та витрати на обслуговування. Його міцна конструкція та чудові експлуатаційні можливості підвищують ефективність процесу, тим самим підвищуючи продуктивність і економічність у виробництві напівпровідників.
Крім того, вафельний лоток Semicorex SiC демонструє чудову стійкість до окислення та корозії при високих температурах, що додатково забезпечує його довговічність і надійність. Його висока термічна стійкість, яка відзначається значною температурою плавлення, дозволяє йому витримувати суворі термічні умови, властиві процесам виготовлення напівпровідників.