Тонкоприймач MOCVD із графітовою підкладкою з карбіду кремнію Semicorex є найкращим вибором для виробників напівпровідників, яким потрібен високоякісний носій, який може забезпечити чудову продуктивність і довговічність. Його вдосконалений матеріал забезпечує рівномірний тепловий профіль і ламінарну схему потоку газу, забезпечуючи високоякісні пластини.
Наш MOCVD-сусцептор із графітовою підкладкою з карбіду кремнію має високу чистоту, виготовлений шляхом хімічного осадження з парової фази CVD в умовах високотемпературного хлорування, що забезпечує однорідність і консистенцію продукту. Він також має високу корозійну стійкість, має щільну поверхню та дрібні частинки, що робить його стійким до кислот, лугів, солі та органічних реагентів. Його стійкість до високотемпературного окислення забезпечує стабільність при високих температурах до 1600°C.
Зв’яжіться з нами сьогодні, щоб дізнатися більше про наш MOCVD-суцептор із графітовою підкладкою з карбіду кремнію.
Параметри MOCVD-суцептора з графітової підкладки з карбіду кремнію
Основні характеристики покриття CVD-SIC |
||
Властивості SiC-CVD |
||
Кристалічна структура |
FCC β фаза |
|
Щільність |
г/см³ |
3.21 |
Твердість |
Твердість за Віккерсом |
2500 |
Розмір зерна |
мкм |
2~10 |
Хімічна чистота |
% |
99.99995 |
Теплоємність |
Дж кг-1 К-1 |
640 |
Температура сублімації |
℃ |
2700 |
Згинальна сила |
МПа (RT 4 точки) |
415 |
Модуль Юнга |
Gpa (вигин 4 точки, 1300 ℃) |
430 |
Теплове розширення (C.T.E) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопровідність |
(Вт/мК) |
300 |
Особливості графітового чутливого елемента з покриттям SiC для MOCVD
- Уникайте відшаровування та забезпечте покриття на всій поверхні
Стійкість до високотемпературного окислення: стабільна при високих температурах до 1600°C
Висока чистота: виготовлено методом CVD хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.
Стійкість до корозії: висока твердість, щільна поверхня і дрібні частинки.
Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
- Досягнення найкращої ламінарної моделі потоку газу
- Гарантія рівності теплового профілю
- Запобігайте будь-якому забрудненню або дифузії домішок