Вафельний носій

· Відмінна теплопровідність: сприяння ефективному теплообміну, необхідному під час процесів епітаксійного росту напівпровідників.

· Стійкість до високих температур: покриття SiC витримує екстремальні нагрівання середовища, забезпечуючи збереження робочих характеристик носія під час термічного циклу в реакторі.

· Стійкість до хімічної корозії: покриття SiC значно покращує стійкість носія до окислення та корозії від реактивних газів, які часто зустрічаються під час епітаксії.

· Стабільність розмірів: поєднання SiC і графіту гарантує, що носій зберігає свою форму та точність протягом тривалого часу, мінімізуючи ризик деформації під час тривалого процесу.

Застосування в епітаксії напівпровідників

Епітаксія — це процес, у якому тонкий шар напівпровідникового матеріалу наноситься на підкладку, як правило, пластину, для формування структури кристалічної решітки. Під час цього процесу точне поводження з пластинами є критичним, оскільки навіть незначні відхилення в позиціонуванні пластини можуть призвести до дефектів або змін у структурі шару.

Вафельний носій відіграє ключову роль у забезпеченні надійного утримання та правильного розташування напівпровідникових пластин під час цього процесу. Комбінація графіту з покриттям SiC забезпечує необхідні характеристики для епітаксії карбіду кремнію (SiC), процесу, який передбачає вирощування високочистих кристалів SiC для використання в силовій електроніці, оптоелектроніці та інших передових напівпровідникових додатках.

Зокрема, Wafer Carrier:

· Забезпечує точне вирівнювання пластини: забезпечення рівномірності росту епітаксійного шару на пластині, що є критичним для продуктивності та продуктивності пристрою.

· Витримує термічні цикли: графіт, покритий SiC, залишається стабільним і надійним навіть у високотемпературному середовищі до 2000°C, забезпечуючи послідовне поводження з пластинами протягом усього процесу.

· Мінімізує забруднення пластини: високочистий склад матеріалу носія гарантує, що пластина не піддається впливу небажаних забруднень під час процесу епітаксійного росту.

У напівпровідникових реакторах для епітаксії носій пластини розміщується в камері реактора, де він функціонує як опорна платформа для пластини. Носій дозволяє пластині піддаватися впливу високих температур і реактивних газів, які використовуються в процесі епітаксійного росту, без шкоди для цілісності пластини. Покриття SiC запобігає хімічній взаємодії з газами, забезпечуючи зростання високоякісного бездефектного матеріалу.

Переваги графітового пластинчастого носія з покриттям SiC

1. Підвищена довговічність: покриття SiC підвищує зносостійкість графітового матеріалу, зменшуючи ризик погіршення якості під час багаторазового використання.

2. Високотемпературна стабільність: Wafer Carrier може витримувати екстремальні температури, звичайні для епітаксіальних печей для вирощування, зберігаючи свою структурну цілісність без деформації та розтріскування.

3. Підвищення продуктивності та ефективності процесу: забезпечуючи безпечне та послідовне поводження з пластинами, графітовий носій для пластин із SiC-покриттям допомагає підвищити загальний вихід та ефективність процесу епітаксійного росту.

4. Параметри налаштування: Носій можна налаштувати з точки зору розміру та конфігурації для задоволення конкретних потреб різних епітаксіальних реакторів, забезпечуючи гнучкість для широкого спектру напівпровідникових застосувань.

НапівкорексГрафіт з покриттям SiCВафельний носій є ключовим компонентом у напівпровідниковій промисловості, що забезпечує оптимальне рішення для обробки пластин під час процесу епітаксійного росту. Завдяки поєднанню термічної стабільності, хімічної стійкості та механічної міцності, він забезпечує точне й надійне поводження з напівпровідниковими пластинами, що призводить до отримання результатів вищої якості та підвищення продуктивності в процесах епітаксії. Для епітаксії з карбіду кремнію чи для інших передових напівпровідникових застосувань цей пластинчастий носій забезпечує довговічність і продуктивність, необхідні для відповідності строгим стандартам сучасного виробництва напівпровідників.