6'' Вафельний контейнер для Aixtron G5

6-дюймовий носій для пластин Semicorex для Aixtron G5, який часто називають токоприймачами, відіграє важливу роль, надійно утримуючи напівпровідникові пластини під час високотемпературної обробки. Сцептори гарантують, що пластини залишаються у фіксованому положенні, що є вирішальним для рівномірного нанесення шару:

Тепловий менеджмент:

6-дюймовий носій для пластини для Aixtron G5 розроблений для забезпечення рівномірного нагріву та охолодження по всій поверхні пластини, що є критичним для процесів епітаксійного росту, які використовуються для створення високоякісних напівпровідникових шарів.

Епітаксіальний ріст:

Шари SiC і GaN:

Платформа Aixtron G5 в основному використовується для епітаксійного нарощування шарів SiC і GaN. Ці шари є основними у виготовленні транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT), світлодіодів та інших передових напівпровідникових пристроїв.

Точність і однорідність:

Висока точність і однорідність, необхідні в процесі епітаксійного росту, сприяють винятковим властивостям 6-дюймового пластинчастого носія для Aixtron G5. Носій допомагає досягти суворої товщини та однорідності складу, необхідних для високопродуктивних напівпровідникових пристроїв.

Переваги:

Стійкість до високих температур:

Стійкість до екстремальних температур:

6-дюймовий контейнер для пластин Aixtron G5 може витримувати надзвичайно високі температури, часто перевищуючи 1600°C. Ця стабільність має вирішальне значення для епітаксійних процесів, які вимагають стійких високих температур протягом тривалих періодів.

Теплова цілісність:

Здатність 6-дюймового пластинчастого контейнера для Aixtron G5 зберігати структурну цілісність за таких високих температур забезпечує постійну продуктивність і знижує ризик термічної деградації, яка може поставити під загрозу якість напівпровідникових шарів.

Відмінна теплопровідність:

Розподіл тепла:

Висока теплопровідність SiC сприяє ефективному теплообміну поверхнею пластини, забезпечуючи рівномірний температурний профіль. Ця однорідність життєво важлива для уникнення температурних градієнтів, які можуть призвести до дефектів і неоднорідностей в епітаксіальних шарах.

Покращений контроль процесу:

Покращене управління температурою дозволяє краще контролювати процес епітаксійного росту, забезпечуючи виробництво напівпровідникових шарів вищої якості з меншою кількістю дефектів.

Хімічна стійкість:

Сумісність з корозійним середовищем:

6-дюймовий контейнер для пластин для Aixtron G5 забезпечує виняткову стійкість до корозійних газів, які зазвичай використовуються в процесах CVD, таких як водень і аміак. Ця стійкість подовжує термін служби носіїв пластин, захищаючи графітову підкладку від хімічного впливу.

Зменшені витрати на технічне обслуговування:

Довговічність 6-дюймового контейнера для пластин для Aixtron G5 зменшує частоту технічного обслуговування та замін, що призводить до зниження експлуатаційних витрат і збільшення часу безвідмовної роботи обладнання Aixtron G5.

Низький коефіцієнт теплового розширення (CTE):

Мінімізований термічний стрес:

Низький КТР SiC допомагає мінімізувати термічний стрес під час швидких циклів нагрівання та охолодження, властивих процесам епітаксійного росту. Це зменшення термічної напруги зменшує ймовірність розтріскування або деформації пластини, що може призвести до поломки пристрою.

Сумісність з обладнанням Aixtron G5:

Спеціальний дизайн:

Semicorex 6'' Wafer Carrier для Aixtron G5 спеціально розроблений для сумісності з обладнанням Aixtron G5, забезпечуючи оптимальну продуктивність і бездоганну інтеграцію.

Максимальна продуктивність:

Ця сумісність максимізує продуктивність і ефективність системи Aixtron G5, дозволяючи їй відповідати суворим вимогам сучасних процесів виробництва напівпровідників.