Субстрат AIN

Неперевершена теплопровідність і електроізоляція

Субстрат AIN від Semicorex виділяється насамперед завдяки своїй винятковій теплопровідності, яка має вирішальне значення для керування теплом у потужних електронних пристроях. Завдяки стандартній теплопровідності 175 Вт/м·K і варіантам високої (200 Вт/м·K) і надвисокої теплопровідності (230 Вт/м·K) підкладка AIN ефективно розсіює тепло, забезпечуючи довговічність і довговічність. надійність комплектуючих. У поєднанні з його сильними електроізоляційними властивостями, підкладка AIN є кращим матеріалом для додаткових кріплень, друкованих плат (PCB) і корпусів для високопотужних, високонадійних компонентів, а також розподільників тепла та різних електронних схем.

Сумісність із кремнієм і тепловим розширенням

Однією з визначних особливостей підкладки AIN є її коефіцієнт теплового розширення (CTE), який коливається від 4 до 6 x 10^-6/K від 20 до 1000°C. Цей КТР близько дорівнює КТР кремнію, що робить підкладку AIN ідеальним матеріалом для напівпровідникової промисловості та упаковки електронних пристроїв. Ця сумісність знижує ризик термічного стресу та забезпечує повну інтеграцію з компонентами на основі кремнію, підвищуючи загальну продуктивність і надійність пристрою.

Налаштування для задоволення різноманітних потреб

Semicorex пропонує широкі послуги з налаштування підкладки AIN, що дозволяє створювати індивідуальні рішення для задоволення конкретних вимог застосування. Незалежно від того, чи потрібен тип шліфування, тип миттєвого випалу, висока стійкість до вигину, висока теплопровідність, тип полірування або тип лазерного скрайбування, Semicorex може надати підкладки, які оптимізовані для бажаних характеристик. Цей рівень налаштування гарантує, що клієнти отримають підкладки, які точно відповідають їхнім тепловим, механічним та електричним потребам.

Універсальність у металізації та електронних додатках

Підкладка AIN від Semicorex сумісна з різними методами металізації, включаючи мідь з прямим покриттям (DPC), мідь з прямим склеюванням (DBC), друк на товстій плівкі, друк на тонкій плівці та активну пайку металу (AMB). Ця універсальність робить його придатним для широкого спектру застосувань в електроніці, від потужних світлодіодів та інтегральних схем (IC) до біполярних транзисторів з ізольованим затвором (IGBT) і батарей. Адаптованість підкладки до різних методів металізації забезпечує її ефективне використання в різноманітних електронних системах.

Ультратонкий дизайн

Для застосувань, де простір і вага є критичними міркуваннями, Semicorex пропонує AIN субстрати товщиною до 0,1 мм. Ця надтонка конструкція дозволяє розробляти компактні та легкі електронні пристрої без шкоди для продуктивності та надійності. Можливість виробляти такі тонкі підкладки ще більше розширює діапазон застосувань і підвищує гнучкість проектування для інженерів і дизайнерів.

Безпечна та екологічна альтернатива BeO

У напівпровідниковій промисловості нітрид алюмінію все частіше використовують як заміну оксиду берилію (BeO) через його нешкідливість при механічній обробці. На відміну від BeO, який створює значні ризики для здоров’я під час обробки, AlN є безпечним у поводженні та переробці, що робить його більш екологічною та безпечнішою альтернативою. Ця зміна не тільки покращує безпеку працівників, але й відповідає суворішим екологічним нормам і цілям сталого розвитку.

Висока механічна міцність

Механічна міцність підкладки AIN є ще однією важливою перевагою. Завдяки двовісній міцності, що перевищує 320 МПа, підкладка забезпечує довговічність і стійкість до механічних навантажень. Ця висока механічна міцність життєво важлива для додатків, які потребують міцних і надійних матеріалів, особливо в електроніці високої потужності та в суворих умовах експлуатації. Міцність підкладки AIN сприяє довговічності та надійності пристроїв, у яких вона використовується.

Широкий спектр застосування

Унікальні властивості підкладки AIN роблять її придатною для широкого спектру потужних і високопродуктивних застосувань:

Потужні світлодіоди: виняткові можливості керування температурою підкладки AIN забезпечують ефективну роботу та подовжений термін служби потужних світлодіодів.

Інтегральні схеми (ІС): Електрична ізоляція та теплопровідність підкладки AIN роблять її ідеальним вибором для ІС, підвищуючи продуктивність і надійність.

Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT): Здатність підкладки керувати високою потужністю та тепловим навантаженням має вирішальне значення для роботи IGBT у різних додатках силової електроніки.

Застосування батареї: у технологіях батареї підкладка AIN забезпечує ефективне управління температурою, покращуючи безпеку та продуктивність.

П’єзоелектричні застосування: механічна міцність і термічні властивості підкладки підтримують високоточні п’єзоелектричні пристрої.

Двигуни високої потужності: теплопровідність і довговічність підкладки AIN підвищують ефективність і термін служби двигунів високої потужності.

Квантові обчислення: точне управління температурою та електроізоляційні властивості підкладки AIN роблять її придатною для розширених застосувань квантових обчислень.