Planetary Susceptor Semicorex ALD має важливе значення в обладнанні ALD через їх здатність витримувати суворі умови обробки, забезпечуючи високоякісне осадження плівки для різноманітних застосувань. Оскільки попит на вдосконалені напівпровідникові прилади менших розмірів і підвищеної продуктивності продовжує зростати, очікується, що використання планетарного токоприймача ALD в ALD розшириться.**
Застосування:
Діелектричне осадження високої k: ALD Planetary Susceptor демонструє чудову стійкість до агресивних прекурсорів, які використовуються для осадження діелектричних матеріалів з високим К, таких як оксид гафнію (HfO2) і оксид алюмінію (Al2O3). Це робить ALD Planetary Susceptor придатним для виготовлення високопродуктивних транзисторів для програм логіки та пам’яті.
Шари металізації: Високотемпературна стабільність планетарного токоприймача ALD дозволяє осаджувати металізаційні шари при підвищених температурах, що призводить до покращення властивостей плівки, таких як менший питомий опір і вища щільність. Це має вирішальне значення для створення ефективних з’єднань у передових напівпровідникових пристроях.
Виготовлення оптико-електронних пристроїв:Інертний характер планетарного сусцептора ALD зводить до мінімуму небажані реакції з прекурсорами, які використовуються для осадження чутливих матеріалів, таких як напівпровідники III-V, що робить планетарний сусцептор ALD ідеальним для виробництва світлодіодів, лазерів та інших оптоелектронних компонентів.
Цикл ALD
Атомне шарове осадження (ALD)пропонує кілька ключових переваг перед іншими методами осадження тонких плівок, що робить його все більш популярним для різних застосувань, зокрема в мікроелектроніці та нанотехнологіях.
Ось деякі з ключових переваг ALD:
1. Контроль товщини на рівні ангстремів:
ALD дозволяє точно контролювати товщину плівки аж до рівня ангстрема (0,1 нанометра). Цей рівень точності досягається завдяки його самообмежуючим поверхневим реакціям, де кожен цикл відкладає один атомний шар.
2. Відмінна однорідність і конформність:
ALD демонструє виняткову рівномірність на великих поверхнях і складних 3D-структурах, включаючи елементи з високим співвідношенням сторін, такі як канавки та переходи. Це має вирішальне значення для застосувань, які вимагають рівномірного покриття на складних геометріях, наприклад, у напівпровідникових приладах.
3. Низька температура осадження:
ALD можна виконувати при відносно низьких температурах (часто нижче 300°C) порівняно з іншими методами осадження. Це вигідно для термочутливих підкладок і дозволяє використовувати більш широкий спектр матеріалів.
4. Високоякісні фільми:
ALD зазвичай виробляє плівки з чудовою щільністю, низьким рівнем домішок і високою однорідністю складу та товщини. Ці характеристики необхідні для досягнення оптимальної продуктивності в різних застосуваннях.
5. Широкий вибір матеріалів:
ALD пропонує широкий вибір матеріалів, які можна осадити, включаючи оксиди, нітриди, метали та сульфіди. Ця універсальність робить його придатним для широкого спектру застосувань.
6. Масштабованість і промислова придатність:
Технологія ALD має високу масштабованість і може бути легко інтегрована в існуючі виробничі процеси. Він сумісний із різними розмірами та формами підкладок, що робить його придатним для виробництва великих обсягів.