CVD SiC-покрита циліндра

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor — це ретельно розроблений компонент, спеціально розроблений для передових процесів виробництва напівпровідників, зокрема для епітаксії. Сконструйований з точністю та інноваціями, цей CVD SiC-Coated Barrel Susceptor розроблений для полегшення епітаксіального росту напівпровідникових матеріалів на пластинах із неперевершеною ефективністю та надійністю.

У сердечнику CVD SiC Coated Barrel Susceptor лежить міцна графітова структура, відома своєю винятковою теплопровідністю та механічною міцністю. Ця графітова основа служить міцною основою для токоприймача, забезпечуючи стабільність і довговічність у складних умовах епітаксіальних реакторів.

Поліпшення графітової підкладки – це найсучасніше покриття з карбіду кремнію (SiC) за допомогою хімічного осадження з парової фази (CVD). Це спеціальне покриття SiC ретельно наноситься за допомогою процесу хімічного осадження з парової фази, в результаті чого утворюється однорідний і міцний шар, який покриває поверхню графіту. CVD SiC покриття CVD SiC Coated Barrel Susceptor надає безліч переваг, важливих для епітаксійних процесів.

Покриття CVD SiC CVD SiC Coated Barrel Susceptor демонструє виняткові термічні властивості, включаючи високу теплопровідність і термічну стабільність. Ці властивості відіграють важливу роль у забезпеченні рівномірного та точного нагрівання напівпровідникових пластин під час епітаксійного росту, таким чином сприяючи узгодженому осадженню шарів і мінімізуючи дефекти кінцевого продукту.

Бочкоподібна конструкція CVD SiC Coated Barrel Susceptor оптимізована для ефективного завантаження та вивантаження пластин, а також оптимального розподілу тепла по поверхні пластини. Ця конструктивна особливість у поєднанні з чудовими характеристиками CVD-покриття SiC гарантує неперевершений контроль процесу та продуктивність при епітаксіальних виробничих операціях.