Рецептор Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor поєднує стійкість до високих температур, хімічну інертність і чудову теплову дифузію, він є взірцем стійкості та ефективності в інтенсивних умовах, синонімом спроб епітаксіального росту. Застосування покриття SiC значно покращує теплові характеристики Epi-SiC Susceptor. Це вдосконалення сприяє рівномірному розподілу тепла, необхідному для нагрівання пластин, що є ключовим для осадження послідовних високоякісних епітаксійних шарів на напівпровідникових пластинах.

Створений спеціально для задоволення строгих вимог процесів епітаксійної обробки пластин, Epi-SiC Susceptor лежить в основі безперебійного транспортування пластин у середовищі печі. Його міцна конструкція є оплотом проти зміщення пластини або компромісу, тим самим зменшуючи випадки пошкодження на критичних етапах розвитку епітаксійного шару. Крім того, Epi-SiC Susceptor діє як захисний бар’єр для графітової підкладки під ним, захищаючи її від хімічних взаємодій і стирання, які можуть спричинити епітаксійні процеси.

Поєднання пружного графітового сердечника із захисним покриттям SiC не тільки покращує показники продуктивності Epi-SiC Susceptor, але й значно подовжує термін його служби. Результатом є інвестиція, яка приносить дивіденди у вигляді стабільної операційної економії для підприємств з виробництва напівпровідників, позиціонуючи Epi-SiC Susceptor як розумний вибір для тих, хто хоче оптимізувати свої виробничі операції.