Епітаксія Вафельний носій

аплікції:Epitaxy Wafer Carrier, розроблений Semicorex, спеціально розроблений для використання в різноманітних передових процесах виробництва напівпровідників. Ці носії дуже підходять для таких середовищ, як:

Плазмове хімічне осадження з парової фази (PECVD):У процесах PECVD Epitaxy Wafer Carrier необхідний для роботи з підкладками під час процесу осадження тонких плівок, забезпечуючи постійну якість і однорідність.

Епітаксія кремнію та SiC:Для епітаксії з кремнію та SiC, де тонкі шари наносяться на підкладки для формування високоякісних кристалічних структур, Epitaxy Wafer Carrier зберігає стабільність за екстремальних температурних умов.

Одиниці металоорганічного хімічного осадження з парової фази (MOCVD):Блоки MOCVD, які використовуються для виготовлення складних напівпровідникових пристроїв, таких як світлодіоди та силова електроніка, потребують носіїв, які можуть витримувати високі температури та агресивні хімічні середовища, властиві цьому процесу.

Переваги:

Стабільна та рівномірна продуктивність при високих температурах:

Поєднання ізотропного графіту та покриття з карбіду кремнію (SiC) забезпечує виняткову термічну стабільність і однорідність при високих температурах. Ізотропний графіт забезпечує незмінні властивості в усіх напрямках, що є вирішальним для забезпечення надійної роботи Epitaxy Wafer Carrier, що використовується в умовах термічного навантаження. Покриття SiC сприяє рівномірному розподілу тепла, запобігає утворенню гарячих точок і забезпечує надійну роботу носія протягом тривалого часу.

Підвищена стійкість до корозії та збільшений термін служби компонентів:

Покриття SiC з кубічною кристалічною структурою забезпечує шар покриття високої щільності. Ця структура значно підвищує стійкість Epitaxy Wafer Carrier до корозійних газів і хімічних речовин, які зазвичай зустрічаються в процесах PECVD, епітаксії та MOCVD. Щільне покриття SiC захищає графітову підкладку від деградації, тим самим подовжуючи термін служби носія та зменшуючи частоту замін.

Оптимальна товщина покриття та покриття:

Semicorex використовує технологію покриття, яка забезпечує стандартну товщину покриття SiC від 80 до 100 мкм. Ця товщина є оптимальною для досягнення балансу між механічним захистом і теплопровідністю. Ця технологія забезпечує рівномірне покриття всіх відкритих ділянок, у тому числі зі складною геометрією, зберігаючи щільний і безперервний захисний шар навіть на невеликих, складних деталях.

Чудова адгезія та захист від корозії:

Завдяки інфільтрації верхнього шару графіту SiC покриттям Epitaxy Wafer Carrier забезпечує виняткову адгезію між підкладкою та покриттям. Цей метод не тільки гарантує, що покриття залишається непошкодженим під час механічного впливу, але також покращує захист від корозії. Щільно зв’язаний шар SiC діє як бар’єр, запобігаючи потраплянню реактивних газів і хімікатів до графітового ядра, таким чином зберігаючи структурну цілісність носія протягом тривалого впливу суворих умов обробки.

Можливість наносити складні геометрії:

Передова технологія покриття, яку використовує Semicorex, дозволяє рівномірно наносити покриття SiC на складні геометрії, такі як невеликі глухі отвори діаметром до 1 мм і глибиною понад 5 мм. Ця здатність має вирішальне значення для забезпечення всебічного захисту Epitaxy Wafer Carrier, навіть у місцях, на які традиційно важко наносити покриття, тим самим запобігаючи локальній корозії та деградації.

Висока чистота та добре визначена поверхня покриття SiC:

Для обробки пластин, виготовлених із кремнію, сапфіру, карбіду кремнію (SiC), нітриду галію (GaN) та інших матеріалів, висока чистота інтерфейсу покриття SiC є ключовою перевагою. Це високочисте покриття Epitaxy Wafer Carrier запобігає забрудненню та зберігає цілісність пластин під час обробки при високій температурі. Чітко визначений інтерфейс забезпечує максимальну теплопровідність, забезпечуючи ефективну теплопередачу через покриття без будь-яких значних теплових бар’єрів.

Функція дифузійного бар'єру:

Покриття SiC Epitaxy Wafer Carrier також служить ефективним дифузійним бар’єром. Він запобігає поглинанню та десорбції домішок із графітового матеріалу, що лежить під ним, таким чином підтримуючи чисте технологічне середовище. Це особливо важливо у виробництві напівпровідників, де навіть незначні рівні домішок можуть значно вплинути на електричні характеристики кінцевого продукту.