Частина ЛПЕ

Деталі Semicorex LPE — це високоефективні компоненти з SiC-покриттям, спеціально розроблені для використання в процесі епітаксії SiC. Ці компоненти розроблені таким чином, щоб витримувати складні умови росту кристалів SiC, забезпечуючи чудову термічну стабільність, хімічну стійкість і механічну міцність. Вибираючи деталі LPE Semicorex, ви гарантуєте виняткову довговічність, точність і індивідуальне рішення для ваших потреб у процесі епітаксії SiC.

Деталі Semicorex LPE виготовляються з використанням передових матеріалів і точних технологій виробництва, що забезпечує послідовність і надійність кожного пристрою. До фізико-хімічних властивостей покриття висуваються суворі вимоги щодо стійкості до високих температур і стійкості до корозії, що безпосередньо впливає на продуктивність і термін служби продукту. SiC матеріал має високу міцність, високу твердість, низький коефіцієнт теплового розширення та хорошу теплопровідність. Це важливий високотемпературний конструкційний матеріал і високотемпературний напівпровідниковий матеріал. Застосовується для графітових основ. Його переваги:

1) SiC є стійким до корозії та може повністю обгортати графітову основу та має хорошу щільність, щоб уникнути пошкодження корозійними газами. 2) SiC має високу теплопровідність і високу міцність зв’язку з графітовою основою, що гарантує, що покриття не легко відпаде після кількох циклів високої та низької температури. 3) SiC має хорошу хімічну стабільність, щоб уникнути руйнування покриття в атмосфері високої температури та корозії. Крім того, для епітаксіальних печей з різних матеріалів потрібні графітові лотки з різними експлуатаційними показниками. Узгодження коефіцієнта теплового розширення графітових матеріалів вимагає адаптації до температури росту епітаксіальної печі. Наприклад, температура епітаксії карбіду кремнію є високою, і потрібна піддон із високим коефіцієнтом теплового розширення. Коефіцієнт теплового розширення SiC дуже близький до коефіцієнта графіту, що робить його придатним як кращий матеріал для поверхневого покриття графітової основи.

Застосування в процесі епітаксії SiC

Процес епітаксії SiC є критичним кроком у виробництві високоякісних пластин SiC, які використовуються для напівпровідникових пристроїв, включаючи силову електроніку та оптоелектроніку. Деталі LPE, особливо ті, що мають покриття SiC, відіграють важливу роль у точному контролі температури та хімічних реакцій у реакторі. Ці компоненти стратегічно розміщені в реакторі, щоб сприяти оптимальному зростанню пластин, зберігаючи при цьому чистоту та однорідність кристалів SiC.

У Semicorex ми розуміємо, що кожен процес епітаксії SiC має унікальні вимоги. Ось чому наші деталі LPE можна повністю налаштувати відповідно до конкретних потреб вашої роботи. Незалежно від розміру, форми чи товщини покриття, наша команда інженерів тісно співпрацює з клієнтами, щоб постачати компоненти, які оптимізують їхні виробничі процеси.

Високоякісне покриття SiC, нанесене на наші деталі, також забезпечує чудову довговічність. На відміну від звичайних матеріалів, SiC забезпечує довший термін служби в суворих умовах експлуатації, зменшуючи частоту технічного обслуговування та простоїв. Ця довговічність означає зниження експлуатаційних витрат і підвищення ефективності для виробників напівпровідників.

Деталі Semicorex LPE розроблені з високою точністю та розроблені відповідно до суворих вимог процесу епітаксії SiC. Наші компоненти виготовляються з використанням новітніх технологій, що гарантує неперевершену продуктивність і довговічність. Вибираючи Semicorex, ви обираєте партнера, який розуміє складність виробництва напівпровідників і прагне поставляти надійні високоякісні продукти, які розширюють ваші виробничі можливості.

Semicorex LPE Parts, з їхSiC покриття, є ідеальним вибором для підвищення продуктивності та довговічності епітаксійних реакторів SiC. Ці компоненти забезпечують чудову термічну стабільність, хімічну стійкість і механічну міцність, забезпечуючи плавний і ефективний процес вирощування кристалів SiC. Завдяки доступним параметрам налаштування Semicorex пропонує індивідуальне рішення, яке відповідає вашим конкретним вимогам процесу, що робить нас надійним партнером для виробників напівпровідників у всьому світі.