Патрони з мікропористого SiC

Щоб забезпечити виняткову точність і стабільність, а також чистоту для вдосконаленої обробки пластин, патрони з мікропористого SiC виготовляються з карбіду кремнію дуже високої чистоти та мають рівномірно розподілену мікропористу (або «мікропористу») структуру, що забезпечує рівномірний розподіл вакуумної адсорбції на повністю придатній для використання поверхні патрона. Ці патрони спеціально розроблені для задоволення суворих вимог виробництва напівпровідників, обробки складних напівпровідників, мікроелектромеханічних систем (MEMS) та інших галузей промисловості, які потребують контролю точності.

Чудова продуктивність патронів з мікропористого SiC

Основною перевагою патронів з мікропористого SiC є їхня повна інтеграція розподілу вакууму, яка забезпечується керуванням мікропористою матрицею в самому патроні, на відміну від використання канавок і просвердлених отворів, як у традиційних вакуумних патронах. Завдяки використанню мікропористої структури вакуумний тиск рівномірно передається по всій поверхні патрона, забезпечуючи необхідну стабільність і рівномірність утримуючої сили для мінімізації прогину, пошкодження країв і локальної концентрації напруги, таким чином допомагаючи уникнути ризиків, пов’язаних із більш тонкими пластинами та вдосконаленими вузлами процесу.

ВибірSiCяк матеріал для патронів з мікропористого SiC виготовляється завдяки своїм винятковим механічним, термічним і хімічним характеристикам. Патрони з мікропористого SiC також розроблені як винятково жорсткі та зносостійкі, тому вони збережуть свою ціну

стабільність навіть при тривалому використанні. Вони мають дуже низький коефіцієнт теплового розширення і дуже високу теплопровідність; таким чином, вони можуть виконувати завдання, пов’язані зі швидкими змінами температури та локалізованим нагріванням або впливом плазми, зберігаючи рівність і точність позиціонування пластини протягом усього технологічного циклу.

Хімічна стійкість є додатковою перевагою патронів Semicorex Microporous SiC. Однією з ключових переваг карбіду кремнію є його здатність протистояти впливу шкідливих газів (включаючи корозійні гази, кислоти та луги), які зазвичай існують в агресивних плазмових системах, що використовуються для виготовлення напівпровідників. Високий рівень хімічної інертності, який забезпечує мікропористий SiC патрон Semicorex, забезпечує мінімальну деградацію поверхні та утворення частинок під час контакту з різними процесами, що дозволяє проводити обробку в чистих приміщеннях у дуже жорстких межах чистоти та підвищує продуктивність і послідовність процесу.

Розробка та виробничі процеси Semicorex зосереджені на досягненні найвищого можливого ступеня точності та якості при створенні будь-якого мікропористого SiC патрона. Повна рівність поверхні, паралельність і шорсткість досягаються за допомогою патрона з мікропористого SiC, а канавки, які зазвичай існують на багатьох інших стандартних типах патронів, відсутні на поверхні патрона з мікропористого SiC, що призводить до значно меншого накопичення частинок і набагато легшого очищення та обслуговування, ніж у більшості стандартних патронів. Це підвищує надійність патронів з мікропористого SiC для всіх застосувань, чутливих до забруднення.

Широке застосування

Патрони Semicorex Microporous SiC виробляються в багатьох настроюваних конфігураціях, щоб відповідати різноманітним технологічним інструментам і додаткам, які використовуються у виробництві напівпровідників. Кілька доступних конфігурацій включають різні типи діаметрів, товщини, рівні пористості, вакуумні інтерфейси та типи монтажу. Патрон Semicorex Microporous SiC також розроблений для роботи практично з усіма матеріалами підкладки, включаючи кремній, карбід кремнію, сапфір, нітрид галію (GaN) і скло. Таким чином, патрон Semicorex Microporous SiC може бути легко інтегрований у різноманітне OEM-обладнання та технологічні платформи, які вже використовуються клієнтами.

Патрони Semicorex з мікропористого SiC забезпечують значно покращену стабільність і передбачуваність у вашому виробничому процесі, а також збільшують час безвідмовної роботи обладнання. Послідовна вакуумна адсорбція на деталі гарантує правильне вирівнювання пластини під час усіх критичних операцій, включаючи літографію, травлення, осадження, полірування та перевірку. Чудова довговічність і стійкість до зношування, пов’язані з мікропористим SiC, призводять до нижчої частоти заміни і, таким чином, до зниження витрат на профілактичне обслуговування та загальних витрат, пов’язаних із терміном служби цих пристроїв.

Патрони Semicorex Microporous SiC представляють собою надійний, високоефективний метод обробки пластин нового покоління. Поєднання рівномірного розподілу вакууму з чудовою термічною та хімічною стабільністю, чудовою механічною цілісністю та чудовою можливістю очищення призводить до рішень для вакуумного затискання Semicorex, які є невід’ємною частиною вдосконаленого процесу виробництва напівпровідників із послідовністю, впевненістю та надійністю.