Рецептор епітаксії MOCVD

Переваги для вимогливих додатків епітаксії:

Надвисока чистота:The MOCVD Epitaxy Susceptor створено для досягнення надвисоких рівнів чистоти, що мінімізує ризик потрапляння небажаних домішок у зростаючі епітаксійні шари. Ця виняткова чистота має вирішальне значення для підтримки високої мобільності носіїв, досягнення оптимальних профілів легування та, зрештою, реалізації високоефективних напівпровідникових пристроїв.

Виняткова стійкість до термічного удару:MOCVD Epitaxy Susceptor демонструє надзвичайну стійкість до термічного удару, витримуючи швидкі зміни температури та градієнти, властиві процесу MOCVD. Ця стабільність забезпечує постійну та надійну роботу під час критичних фаз нагрівання та охолодження, мінімізуючи ризик викривлення пластин, дефектів, спричинених напругою, та перерв у процесі.

Чудова хімічна стійкість:MOCVD Epitaxy Susceptor демонструє виняткову стійкість до широкого спектру реактивних газів і хімічних речовин, що використовуються в MOCVD, включаючи корозійні побічні продукти, які можуть утворюватися при підвищених температурах. Ця інертність запобігає забрудненню епітаксійних шарів і забезпечує чистоту нанесеного напівпровідникового матеріалу, що є критичним для досягнення бажаних електричних і оптичних властивостей.

Наявність в комплектіx Фігури: MOCVD Epitaxy Susceptor може бути точно оброблений у складні форми та геометрії для оптимізації динаміки газового потоку та однорідності температури в реакторі MOCVD. Ця можливість індивідуального дизайну забезпечує рівномірне нагрівання пластин підкладки, мінімізуючи коливання температури, які можуть призвести до неузгодженого епітаксійного росту та продуктивності пристрою.