Продукти

Власники Semicorex SIC з покриттям SIC є високоефективним носієм, розробленим спеціально для надпійного осадження плівки в умовах без тиску. Завдяки вдосконаленій інженерії матеріалів, точному контролю пористості та надійній технології покриття SIC, Semicorex забезпечує надійність та налаштування в галузі для задоволення потреб розвитку напівпровідника нового покоління.*

Пластини для покриття Semicorex RTP SIC-це високоефективні вафлі, розроблені для використання в вимогливих середовищах швидкої термічної обробки. Довіра провідних виробників напівпровідників, Semicorex забезпечує чудову термічну стійкість, довговічність та контроль забруднення, підкріплене суворими стандартами якості та точним виготовленням.*

4-дюймові 4-дюймові човни SIC SEMICOREX-це високоефективні вафельні носії, призначені для вищої термічної та хімічної стабільності у виробництві напівпровідників. Довіряючи лідерам галузі, Semicorex поєднує в собі передові матеріали з точною інженерією для забезпечення продукції, що підвищує врожайність, надійність та експлуатаційну ефективність.*

Графітові лотки Semicorex SIC є високоефективними рішеннями носіїв, спеціально розробленими для епітаксіального росту Algan Epitaxial в галузі УФ-світлодіодів. Виберіть Semicorex для провідної галузі чистоти матеріалу, точної інженерії та неперевершеної надійності в вимогливих середовищах MOCVD.*

8-дюймові 8-дюймові Wafers P-Type SIC забезпечують видатні показники для пристроїв потужності нового покоління, РФ та високотемпературних пристроїв. Виберіть Semicorex для вищої кристалічної якості, провідної галузі рівномірності та надійного досвіду в передових матеріалах SIC.*

12-дюймові напівізолюючі SIC субстрати SEMICOREX-це матеріал наступного покоління, призначений для високочастотних, високопотужних та високопоставлених напівпровідникових програм. Вибір Semicorex означає партнерство з надійним лідером в інноваціях SIC, зобов’язаним забезпечити виняткову якість, точну інженерію та індивідуальні рішення для розширення можливостей ваших найсучасніших технологій пристроїв.*