Епітаксійний диск Semicorex SiC Coated Disc має широкі властивості, які роблять його незамінним компонентом у виробництві напівпровідників, де точність, довговічність і міцність обладнання є найважливішими для успіху високотехнологічних напівпровідникових пристроїв. Ми в Semicorex націлені на виробництво та постачання високоефективних епітаксійних дисків із SiC покриттям, які поєднують якість з економічною ефективністю.**
Епітаксійний диск Semicorex SiC Coated Disc має ряд незрівнянних переваг у напівпровідниковій промисловості, які можна уточнити наступним чином:
Низький коефіцієнт теплового розширення: епітаксійний диск із покриттям SiC має надзвичайно низький коефіцієнт теплового розширення, що є критичним у обробці напівпровідників, де стабільність розмірів є важливою. Цей атрибут гарантує, що епітаксійний диск із покриттям SiC зазнає мінімального розширення або звуження під час коливань температури, зберігаючи цілісність напівпровідникової структури під час високотемпературних процесів.
Стійкість до високотемпературного окислення: цей епітаксійний диск із покриттям SiC зберігає свою структурну цілісність за високих температур, що робить його ідеальним компонентом для застосувань у високотемпературних напівпровідникових процесах, де термічна стабільність має вирішальне значення.
Щільна та дрібнопориста поверхня: поверхня епітаксійного диска з покриттям SiC характеризується своєю щільністю та тонкою пористістю, що забезпечує оптимальну текстуру поверхні для зчеплення різних покриттів і забезпечує ефективне видалення матеріалу під час обробки напівпровідникових пластин без пошкодження делікатної поверхні.
Висока твердість: покриття надає високого рівня твердості графітовому диску, який є стійким до подряпин і зношування, таким чином подовжуючи термін служби епітаксійного диска з покриттям SiC і зменшуючи частоту заміни в середовищах виробництва напівпровідників.
Стійкість до кислот, основ, солей і органічних реагентів: CVD SiC-покриття CVD диска з SiC-покриттям забезпечує відмінну стійкість до широкого спектру корозійних агентів, включаючи кислоти, основи, солі та органічні реагенти, що робить його придатним для використання в середовищах, де хімічний вплив викликає занепокоєння, тим самим підвищуючи надійність і довговічність обладнання.
Поверхневий шар бета-SiC: Поверхневий шар SIC (карбіду кремнію) епітаксійного диска з покриттям SiC складається з бета-SiC, який має гранецентровану кубічну (FCC) кристалічну структуру. Ця кристалічна структура сприяє винятковим механічним і термічним властивостям покриття, забезпечуючи чудову міцність і теплопровідність диска, що є важливим для обладнання для обробки напівпровідників.