Рецептор епітаксії SiC

SiC епітаксія є критичним компонентом, який використовується в обладнанні MOCVD для підтримки та нагрівання монокристалічних підкладок. Його чудові параметри продуктивності, такі як термічна стабільність і теплова однорідність, відіграють вирішальну роль у якості епітаксійного росту матеріалу, забезпечуючи високий рівень однорідності та чистоти тонкоплівкових матеріалів.

SiC Epitaxy Susceptor має чудову щільність, забезпечуючи ефективний захист при високій температурі та корозійних робочих середовищах. Крім того, його високий рівень площинності поверхні ідеально відповідає вимогам для росту монокристалів на поверхні підкладки.

Мінімальна різниця коефіцієнтів теплового розширення в SiC Epitaxy Susceptor значно підвищує міцність зв’язку між епітаксіальною підкладкою та матеріалом покриття, таким чином зменшуючи ймовірність розтріскування після високотемпературного термічного циклу.

Водночас він демонструє високу теплопровідність, сприяючи швидкому та рівномірному розподілу тепла для росту стружки. Крім того, його висока температура плавлення, термостійкість, стійкість до окислення та стійкість до корозії забезпечують стабільну роботу в умовах високої температури та корозії.

Як важливий компонент у реакційній камері обладнання MOCVD, SiC епітаксія Susceptor повинна мати такі переваги, як стійкість до високих температур, рівномірна теплопровідність, хороша хімічна стабільність і сильна стійкість до теплового удару. Semicorex SiC Epitaxy Susceptor відповідає всім цим вимогам.