Пластина для травлення SiC ICP

Semicorex SiC ICP Etching Plate відповідає вимогам промисловості, пропонуючи виняткову теплопровідність, чудову твердість і чудову хімічну стабільність, що робить її кращим вибором для передового виробництва напівпровідників.

Карбід кремнію відомий своєю надзвичайною теплопровідністю, важливою характеристикою у виробництві напівпровідників. Ця властивість дозволяє SiC ICP Etching Plate ефективно розсіювати тепло, що утворюється під час процесу травлення, підтримуючи оптимальні робочі температури. Завдяки ефективному управлінню теплом SiC ICP Etching Plate мінімізує ризик перегріву, забезпечуючи постійну продуктивність і надійність навіть у системах із високою потужністю. Це терморегулювання має важливе значення для підтримки цілісності процесу травлення та досягнення високоякісних результатів.

Ще однією відмінною особливістю SiC ICP Etching Plate є її чудова твердість і зносостійкість. Будучи одним із найтвердіших доступних матеріалів, карбід кремнію демонструє виняткову стійкість до стирання та механічного зносу. Ця характеристика особливо цінна в середовищі плазмового травлення, де травильна пластина піддається впливу агресивних хімічних і фізичних умов. Довговічність SiC ICP Etching Plate означає довший термін служби, скорочення часу простою та нижчі витрати на технічне обслуговування, що робить його економічно ефективним рішенням для виробництва великої кількості.

Крім термічних і механічних властивостей, SiC ICP Etching Plate забезпечує чудову хімічну стабільність. Карбід кремнію має високу стійкість до корозії та хімічного впливу, гарантуючи збереження своєї структурної цілісності та продуктивності навіть у жорстких хімічних середовищах. Ця стійкість до хімічної деградації має вирішальне значення для підтримки точності й точності процесу травлення, оскільки будь-який компроміс у цілісності пластини для травлення може призвести до дефектів у виготовлених напівпровідникових пристроях.