Китай Карбід кремнію (SiC) Виробники, постачальники, фабрика

Кераміка з карбіду кремнію (SiC) — це вдосконалений керамічний матеріал, що містить кремній і вуглець. Зерна карбіду кремнію можна з’єднати разом шляхом спікання з утворенням дуже твердої кераміки. Semicorex постачає на замовлення кераміку з карбіду кремнію відповідно до ваших потреб.

Додатки

Властивості кераміки з карбіду кремнію залишаються незмінними до температур вище 1400°C. Високий модуль Юнга > 400 ГПа забезпечує чудову стабільність розмірів.

Типовим застосуванням компонентів з карбіду кремнію є технологія динамічного ущільнення з використанням підшипників ковзання та механічних ущільнень, наприклад, у насосах і системах приводу.

● Гільза осі  →

● Втулка  →    

● Механічне ущільнення  →

Завдяки вдосконаленим властивостям карбідокремнієва кераміка також ідеально підходить для використання в напівпровідниковій промисловості.

● Вафельний носій  →  

● Вафельний кораблик  →  

Вафельні кораблики →
Semicorex Wafer Boat виготовлено зі спеченої кераміки карбіду кремнію, яка має гарну стійкість до корозії та відмінну стійкість до високих температур і термічного удару. Удосконалена кераміка забезпечує чудову термостійкість і стійкість до плазми, одночасно пом’якшуючи частки та забруднювачі для носіїв пластин великої ємності.

Реакційно спечений карбід кремнію

Порівняно з іншими процесами спікання, зміна розміру реакційного спікання під час процесу ущільнення є невеликою, і можна виготовляти продукти з точними розмірами. Однак наявність великої кількості SiC в спеченому тілі погіршує високотемпературні характеристики реакційно спеченої кераміки SiC.

Спечений без тиску карбід кремнію

Спечений без тиску карбід кремнію (SSiC) є надзвичайно легкою та водночас твердою високоефективною керамікою. SSiC характеризується високою міцністю, яка залишається практично постійною навіть при екстремальних температурах.

Рекристалічний карбід кремнію

Перекристалізований карбід кремнію (RSiC) — це матеріали наступного покоління, утворені шляхом змішування грубого порошку карбіду кремнію високої чистоти та дрібного порошку високоактивного карбіду кремнію, а після цементації — вакуумного спікання при 2450 °C для рекристалізації.