Сусцепторний диск Semicorex є незамінним інструментом у металоорганічному хімічному осадженні (MOCVD), спеціально розробленому для підтримки та нагрівання напівпровідникових пластин під час критичного процесу осадження епітаксійного шару. Суцепторний диск важливий у виробництві напівпровідникових приладів, де точне нарощування шарів має першочергове значення. Прихильність Semicorex найкращій на ринку якості в поєднанні з конкурентоспроможними фінансовими міркуваннями зміцнює наше прагнення встановити партнерські відносини для виконання ваших вимог до транспортування напівпровідникових пластин.
Виготовлений із графіту високої чистоти та покритий шаром карбіду кремнію (SiC) за технологією MOCVD, диск Semicorex Susceptor Disc поєднує виняткові термічні властивості з чудовою хімічною стабільністю. Покриття з карбіду кремнію забезпечує чудову стійкість до високих температур і корозійних умов, що має вирішальне значення для збереження цілісності чутливого диска в складних умовах.
Крім того, покриття SiC на диску-суцепторі покращує його теплопровідність, що забезпечує швидкий і рівномірний розподіл тепла, що є критичним для послідовного епітаксійного росту. Він ефективно поглинає та випромінює тепло, забезпечуючи стабільну рівномірну температуру, необхідну для осадження тонких плівок. Ця однорідність життєво важлива для отримання високоякісних епітаксійних шарів, які є фундаментальними для функціональності та продуктивності передових напівпровідникових пристроїв.
Конструкція чутливого диска також вирішує проблему теплового розширення. Його мінімальний коефіцієнт теплового розширення забезпечує міцне зчеплення з епітаксіальними шарами, зменшуючи ризик розтріскування через термічний цикл. Ця особливість у поєднанні з високою температурою плавлення Susceptor Disc і відмінною стійкістю до окислення забезпечує надійну роботу в екстремальних умовах.
Завдяки цим вдосконаленим властивостям Susceptor Disc не тільки відповідає суворим вимогам сучасних MOCVD, але й перевищує їх, забезпечуючи надійне, високоефективне рішення, яке підвищує загальну ефективність і результативність процесу епітаксійного росту.