Вафельний носій для MOCVD

пластинчастий носій Semicorex для MOCVD, створений для точних потреб металоорганічного хімічного осадження з парової фази (MOCVD), стає незамінним інструментом у обробці монокристалів Si або SiC для високомасштабних інтегральних схем. Композиція Wafer Carrier для MOCVD може похвалитися неперевершеною чистотою, стійкістю до підвищених температур і корозійних середовищ, а також чудовими герметизуючими властивостями для підтримки первозданної атмосфери. Ми в Semicorex займаємося виробництвом і постачанням високопродуктивних пластинчастих носіїв для MOCVD, які поєднують якість з економічною ефективністю.

Надіслати запит

Опис продукту

Удосконалена конструкція Semicorex Wafer Carrier для MOCVD для додатків MOCVD виступає в якості надійної основи, спеціально сконструйованої для зберігання напівпровідникових пластин. Він пропонує оптимізовану конструкцію, яка забезпечує щільне захоплення пластин, а також сприяє оптимальному розподілу газів для рівномірного шарування матеріалу. Покращений покриттям з карбіду кремнію (SiC) за допомогою хімічного осадження з парової фази (CVD), пластинчастий носій для MOCVD поєднує стійкість графіту з властивостями CVD SiC, які витримують високі температури, мають незначний коефіцієнт теплового розширення та сприяють рівномірному розподілу тепла. Ця рівновага має вирішальне значення для збереження цілісності температури поверхні пластин.

Завдяки таким властивостям, як інгібування корозії, хімічна стійкість і, як наслідок, подовжений термін служби, Wafer Carrier для MOCVD значно підвищує як калібр, так і продуктивність пластин. Його довговічність представляє пряму економічну вигоду, позиціонуючи Wafer Carrier для MOCVD як розумний вибір для закупівель для ваших операцій з виробництва напівпровідників.

Ретельно розроблений для епітаксійних процедур пластин, носій для пластин Semicorex для MOCVD відмінно підходить для безпечного транспортування пластин у високотемпературних печах. Його міцний каркас гарантує, що пластини залишаються неушкодженими, тим самим зменшуючи схильність до пошкоджень під час критичних етапів епітаксійного росту.**