Полі-Si зовнішні кільця для травлення

Зазвичай розташовується навколонасадка для душа, Зовнішнє кільце Poly-Si діє як сполучна частина між випускним кільцем і душовою лійкою. Він працює у співпраці зелектростатичний патрон, душову насадку з кремнію, фокусне кільце з кремнію, вихідне кільце з кремнію та екрануюче кільце з кремнію, створюючи стабільне та надійне технологічне середовище для високоточного травлення.

Переваги зовнішніх кілець Semicorex poly-Si для травлення

Зовнішні кільця Semicorex poly-Si для травлення точно виготовлені з високоякісного полікремнію, що забезпечує такі чудові властивості.

1. Висока чистота та низький вміст часток

2. Чудова стійкість до високих температур і висока стійкість до теплового удару

3. Надійна стійкість до корозії

4. Виняткова електрична продуктивність і висока однорідність електропровідності

Функції зовнішніх кілець Semicorex poly-Si для травлення

1. Стабільна продуктивність заземлення

Зовнішні кільця Semicorex poly-Si для травлення, які використовуються для заземлення та захисту електродів, здатні уникнути накопичення статичної електрики, а також пошкодження дугою та забезпечити стабільну роботу електродної системи, ідеально відповідаючи вимогам процесу передового виготовлення 3D NAND.

2. Надійна опора

Зовнішні кільця Semicorex poly-Si для травлення служать основними компонентами, що з’єднують випускне кільце та душову насадку. Вони забезпечують надійну механічну підтримку обох частин і утримують їх у відповідному місці. Крім того, використання зовнішніх кілець Semicorex poly-Si для травлення може запобігти плазмовій ерозії камери травлення, що таким чином ефективно забезпечує стабільне виконання операції травлення.

3. Сумісність із процесом травлення

Зовнішні кільця Semicorex poly-Si для травлення відрізняються низьким вмістом домішок і винятковою стійкістю до корозії, забезпечуючи чудову сумісність із виготовленням кремнієвих пластин, що значно знижує кількість дефектів пластин, викликаних забрудненням побічним продуктом травлення, і значно забезпечує високу продуктивність у виробництві напівпровідників.