Силіконовий щит

Точний контроль плазми в процесі травлення CCP/ICP є важливим для ефективної, рівномірної швидкості травлення та якості пластин. Неконтрольований витік плазми за межі потрібної зони травлення може спричинити ерозію поверхні та забруднення або пошкодити компоненти всередині камери. Силіконове захисне кільце є ефективним і простим рішенням цієї проблеми, створеним для створення захисного бар’єру на зовнішньому периметрі електрода, стримування плазми від поширення за межі цільової області та обмеження травлення лише бажаною областю. Кремнієве захисне кільце також діє як зовнішній електрод для стабілізації розподілу плазми та забезпечення більш рівномірної енергії на поверхні пластини.кремній, забезпечуючи ультрачисту роботу та надійну сумісність із передовими процесами виробництва напівпровідників.

Точний контроль плазми в процесі травлення CCP/ICP є важливим для ефективної, рівномірної швидкості травлення та якості пластин. Неконтрольований витік плазми за межі потрібної зони травлення може спричинити ерозію поверхні та забруднення або пошкодити компоненти всередині камери. Силіконове захисне кільце є ефективним і простим рішенням цієї проблеми, створеним для створення захисного бар’єру на зовнішньому периметрі електрода, стримування плазми від поширення за межі цільової області та обмеження травлення лише бажаною областю. Кремнієве захисне кільце також діє як зовнішній електрод для стабілізації розподілу плазми та забезпечення більш рівномірної енергії на поверхні пластини.

Термічні та електричні властивості кремнію додатково підтримують ефективність Etching Shield Ring. Його стійкість до високих температур процесу забезпечує структурну цілісність під час тривалого впливу плазми, а його електропровідність дозволяє компоненту належним чином працювати як елемент електродної системи. Разом ці програми покращують утримання плазми та покращують однорідність енергії, що дозволяє повторювати профілі травлення на пластинах.

Механічна стійкість є ще однією помітною характеристикою Silicon Etching Shield Ring. Виготовляючись із жорсткими допусками, він забезпечує точне розташування навколо електрода та зберігає відстань і геометрію камери. Ця механічна точність генерує повторювані умови процесу для меншої мінливості між окремими серіями та сприяє виробництву напівпровідників у великих обсягах. Сам матеріал має відмінну сумісність з плазмовими середовищами; тому руйнування його структури дозволяє йому, як правило, забезпечувати тривалий термін служби та стабільність виконання процесу.

Довговічність і економічна ефективність є ще двома цінними перевагами. Захищаючи непотрібні частини камери від плазми, захисне кільце зменшує знос інших критичних компонентів, що зменшує витрати на технічне обслуговування та збільшує загальний час безвідмовної роботи. Довгий термін служби та рідша заміна роблять це економічно ефективним рішенням для напівпровідникових заводів для підвищення продуктивності та, таким чином, зниження експлуатаційних витрат.

TheКремнійзахисне кільце також можна налаштувати для кожної конфігурації інструменту та специфікацій процесу, оскільки вони доступні в кількох розмірах і геометріях для розміщення багатьох різних камер плазмового травлення, які виготовляють виробники, при цьому досягаючи оптимальної посадки. Крім того, обробка поверхні та полірування можуть бути використані для подальшого зменшення утворення частинок для стандартів ультрачистого виробництва.