Планарна мішень з монокристалічного кремнію

Монокристалічний кремнійПлоска мішень, як правило, обробляється на високоточному ріжучому обладнанні зі зливків монокристалічного кремнію, виготовлених за методом Чохральського. Щоб задовольнити диверсифікацію потреб клієнтів, планарну мішень із монокристалічного кремнію можна нарізати у потрібні форми для ваших шановних клієнтів. Технологія точного шліфування та полірування забезпечує чудову рівність поверхні цільового матеріалу, забезпечуючи сильну гарантію для осадження тонких плівок.

Плоска монокристалічна кремнієва мішень поміщається всередину у вакуумну реакційну камеру разом із підкладкою, на яку потрібно нанести покриття під час процесу осадження плівки. Коли плоска монокристалічна кремнієва мішень бомбардується іонами високої енергії, атоми кремнію на її поверхні розпилюються. Ці розпилені атоми кремнію потім мігрують і осідають на поверхні підкладки, зрештою утворюючи кремнієву тонку плівку.

Джерелом матеріалу для осадження тонких плівок служить планарна мішень з монокристалічного кремнію. Усі атоми кремнію, нанесені на поверхню пластини, походять від монокристалічних кремнієвих плоских мішеней. Таким чином, якість планарної мішені з монокристалічного кремнію безпосередньо визначає чистоту, однорідність та інші ключові властивості нанесеної тонкої плівки.

Чудові характеристики чистоти наділяють планарну мішень із монокристалічного кремнію здатністю запобігати забрудненню тонкої плівки домішками. Це значно покращує електричні характеристики напівпровідникових приладів. Поліпшенню однорідності та адгезії тонких плівок сприяють їх високовпорядкована кристалічна структура, яка дозволяє частинкам розпилення мігрувати та осідати на поверхні пластини більш регулярно. Конструкція планарної структури підходить для потреб великої площі та високошвидкісного напилення та застосовна до сценаріїв великомасштабного виробництва, таких як напівпровідникові пластини та панелі дисплеїв.