Монокристалічна кремнієва душова насадка, відома як газова розпилювальна головка або газорозподільна пластина, є широко використовуваним газорозподільним пристроєм у процесах виробництва напівпровідників для ключових етапів процесу, таких як очищення, травлення та осадження. Високоякісна та економічно ефективна душова насадка з монокристалічного кремнію необхідна для підвищення точності та якості виробництва чіпів у напівпровідниковій промисловості.
Монокристалічний кремній Semicorexнасадка для душадемонструє виняткову стійкість до корозії, низький коефіцієнт розширення та чудову теплопровідність. Міцно адаптуючись до суворих умов високої температури, високої корозійної активності та високого вакууму у виробництві напівпровідників, він демонструє виняткову толерантність до технологічних газів, таких як гази травлення та осадження. Таким чином, монокристалічна кремнієва душова насадка широко використовується в процесах очищення напівпровідників, процесах окислення, процесах осадження та процесах травлення.
Semicorex використовує передові технології обробки поверхні, щоб гарантувати, що поверхня душової лійки з монокристалічного кремнію має надзвичайно високу площину та гладкість. Тим часом, спираючись на стандартизовану конструкцію структури каналу та газового тракту, поверхня монокристалічної кремнієвої душової насадки рівномірно розподілена багатьма порами однакового діаметру (мінімальний діаметр може досягати 0,2 міліметра). Допуск діаметра пір монокристалічної силіконової насадки для душу точно контролюється на мікрометричному рівні, а внутрішня стінка пір має бути гладкою та без задирок, забезпечуючи точність розподілу та однорідність технологічного газу з структурних і технологічних аспектів.
Semicorex надає експертні послуги з налаштування для задоволення різноманітних потреб клієнтів. Відповідно до різноманітних потреб своїх клієнтів, він може налаштувати зовнішні рішення відповідно до розмірів і форми їхніх реакційних камер. Оптимізована конструкція дозволяє пластинам здійснювати повний і постійний контакт з технологічним газом протягом усього процесу реакції, гарантуючи рівномірний розподіл газу по всій реакційній камері. Це в кінцевому підсумку підвищує ефективність виробництва та якість продукції.