Китай Покриття TaC Виробники, постачальники, фабрика

Графітове покриття TaC створюється шляхом покриття поверхні високочистої графітової підкладки тонким шаром карбіду танталу за допомогою запатентованого процесу хімічного осадження з парової фази (CVD).

Карбід танталу (TaC) - це сполука, яка складається з танталу та вуглецю. Він має металеву електропровідність і надзвичайно високу температуру плавлення, що робить його вогнетривким керамічним матеріалом, відомим своєю міцністю, твердістю, термостійкістю та зносостійкістю. Точка плавлення карбідів танталу досягає максимуму приблизно при 3880°C залежно від чистоти і має одну з найвищих точок плавлення серед бінарних сполук. Це робить його привабливою альтернативою, коли вимоги до більш високих температур перевищують продуктивність, що використовується в епітаксіальних процесах складних напівпровідників, таких як MOCVD і LPE.

Дані матеріалу Semicorex TaC Coating

Проекти	Параметри
Щільність	14,3 (г/см³)
Коефіцієнт випромінювання	0.3
КТР (×10^-6/K)	6.3
Твердість (HK)	2000
Опір (Ом-см)	1×10^-5
Термічна стабільність	<2500 ℃
Зміна розміру графіту	-10~-20um (довідкове значення)
Товщина покриття	Типове значення ≥20um (35um±10um)

Вищенаведені типові значення

View as

Сусцептор із покриттям TaC

Semicorex TaC Coated Susceptor (Tantalum Carbide Coated Susceptor) — вузькоспеціалізований компонент, який використовується у виробництві напівпровідників та інших високотемпературних застосуваннях. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

Патрон з покриттям з карбіду танталу

Патрон Semicorex з покриттям з карбіду танталу — це високоточний компонент, розроблений для використання в середовищах із високою температурою та високим навантаженням. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

Кільце покриття CVD TaC

Semicorex CVD TaC Coating Ring — це високоефективний компонент, розроблений для вимогливих додатків, що вимагають виняткової зносостійкості, термічної стабільності та хімічної інертності. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

Планетарна пластина з покриттям TaC

Планетарна пластина з покриттям Semicorex TaC — це високоефективний компонент, розроблений спеціально для систем MOCVD. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

TaC покриття Верхній півмісяць

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon — це спеціалізований компонент, розроблений для високопродуктивних епітаксіальних процесів у виробництві напівпровідників. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

Частина півмісяця з покриттям з карбіду танталу

Semicorex Tantalum Carbide Coating Halfmoon Part — вузькоспеціалізований компонент, розроблений для використання в процесі епітаксійного осадження. Semicorex прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами, ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

<...4 5 6 7 8...10 >

Semicorex виробляє Покриття TaC протягом багатьох років і є одним із професійних виробників і постачальників Покриття TaC у Китаї. Коли ви купуєте наші сучасні та довговічні продукти, які постачають масове пакування, ми гарантуємо швидку доставку великої кількості. Протягом багатьох років ми надавали клієнтам індивідуальні послуги. Клієнти задоволені нашою продукцією та відмінним обслуговуванням. Ми щиро сподіваємось стати вашим надійним довгостроковим діловим партнером! Ласкаво просимо до покупки продукції на нашому заводі.